反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制，其佳值一般取为15V左右。动态特性动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示：：Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh式中Uj1——JI结的正向电压，其值为～1V；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。IGBT在开通过程中。

也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块，即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块，6in1模块三相桥（3-Phasebridge模块的内部等效电流如图5所示。图5三相桥模块的内部等效电路三相桥模块也称为6in1模块，用于直接构成三相桥电路，也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器，不同的应用对IGBT的要求有所不同，故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块，如3-Phaseinvertermodule（三相逆变器模块）等。，CBI模块，7in1模块欧美厂商一般将包含图6所示的7in1模块称为CBI模块（Converter-Brake-InverterModule，整流-刹车-逆变）模块，日系厂商则习惯称其为PIM模块。图67in1模块内部的等效电路制造商一般都会分别给出模块中个功能单元的参数，表1是IXYS的MUBW15-12T7模块的主要技术规格。表1MUBW15-12T7的主要技术规格三相整流桥断路器三相逆变器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中，断路器和三相逆变器给出的都是IGBT管芯的技术规格。

上海寅涵智能科技发展有限属于电力半导体器件和电子元器件的专业分销商，产品供应世界各地，应用到民用，工业，通信等电子产品领域中专注为开关电源、逆变电源、电力电源、电刷及电刷架等，广泛应用于电力、通讯、电子、冶金、化工、交通等行业电路保护及设备维护用备件、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供的半导体功率器件我们拥有稳固的供货渠道,，公司本着“品质保证，客户至上”的企业经营理念，“诚信经营、信誉为本”的经营宗旨。坚信客户永远是公司发展的源泉，坚持以市场为导向，以完善的售后服务为承诺,公司在长期的发展过程中以过硬的产品质量的优势和国内许多大型的公司都建立了长期良好的合作伙伴关系，我们也热诚欢迎国内外客户来我司考察，参观及技术交流；广纳博交的企业精神，寅涵愿与社会各界朋友精诚合作，为广大客户提供优良的产品、满意的服务、共创美好家园！

免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。