陶瓷靶材的种类及各自应用按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜，辽宁镀膜陶瓷靶材厂家.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;显示陶瓷靶材ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm，辽宁镀膜陶瓷靶材厂家，辽宁镀膜陶瓷靶材厂家,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO,主要应用于电致发光薄膜发光层,电致发光薄膜绝缘层,磁盘等;磁记录陶瓷靶材Si3N4,主要应用于磁头,磁光盘(MO)保护;光记录陶瓷耙材Si3N4,主要应用于光盘保护膜;超导陶瓷靶材YbaCuO,BiSrCaCuO,主要应用于超导薄膜;巨磁电阻陶瓷靶材,主要应用于薄膜太阳能电池窗;其它应用靶材In₂O₃，LiNbO₃，BaTiO₃,PZT.ZnO，主要应用于太阳能电池，压电薄膜按化学组成,可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。辽宁镀膜陶瓷靶材厂家

光伏领域对靶材的使用主要是薄膜电池和HJT光伏电池。以HJT电池片为例，在HJT电池片结构中具有TCO薄膜层，该薄膜承担着透光以及导电的重要作用。应用PVD技术，使离子和靶材表面的原子离开靶材，在基底上形成透明导电薄膜。以钙钛矿电池结构为例，钙钛矿电池是由多层薄膜以及玻璃等构成。例如ITO薄膜就需要光伏靶材进行制备。薄膜较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶（氧化铝锌）等，ITO靶材是当前太阳能电池主要的溅射靶材。薄膜电池中透明导电膜至关重要，承担着透光和导电的双重作用。从ITO靶材的优势来看，氧化铟锡（ITO）是N型半导体材料，具有高导电率、高可见光透过率、较强的机械硬度和良好的化学稳定性等优点。因此，在光伏领域中，ITO靶材为原材料所制成的ITO薄膜具有较好的光学特性和电学特性。中国台湾ITO陶瓷靶材厂家超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射工艺属于PVD技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。

背板材料：无氧铜(OFC)–目前经常使用的作背板的材料。因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。如果保养适当，无氧铜背板可以重复使用10次甚至更多。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温贴合的条件下，无氧铜容易被氧化和发生翘曲，所以会使用金属钼为背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背板材料。不锈钢管(SST)–目前**常使用不锈钢管作为旋转靶材的背管，因为不锈钢管具有良好的强度和导热性而且非常经济。背板重复使用大部分背板可以重复使用，尤其是采用金属铟进行贴合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他贴合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背板表面处理后才能重复使用。当我们收到用户提供的已使用过的背板后，我们会首先进行卸靶处理（如适用）并且对背板进行完全检查，检查的重点包括背板的平整度，完整性及密封性等。我们会通知用户对背板的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。

靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极，晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。太阳能电池主要包括晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，晶体硅太阳能电池转化效率较高、性能稳定，且各个产业环节比较成熟，占据了太阳能电池市场的主导地位。而晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域。靶材溅射镀膜形成的太阳能薄膜电池的背电级主要有三个用途：一，它是各单体电池的负极；二，它是各自电池串联的导电通道；三，它可以增加太阳能电池对光的反射。太阳能薄膜电池用溅射靶材主要为方形板状，对纯度要求没有半导体芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。其中铝靶、铜靶用于导电层薄膜，钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。HJT电池靶材有望快速实现国产替代国产靶材厂商有望在HJT电池时代实现靶材上的弯道超车。

ITO陶瓷靶材在磁控溅射过程中，靶材表面受到Ar轰击和被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化,ITO靶材表面会产生许多小的结瘤,这个现象被称为ITO靶材的毒化现象。靶材结瘤毒化后.靶材的溅射速率降低，孤光放电频率增加，所制备的薄膜电阻增加,透光率降低且均一性变差，此时必须停止溅射,清理靶材表面或更换靶材,这严重降低溅射镀膜效率。目前对于结瘤形成机理尚未有统一定论，如孔伟华研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,认为结瘤是In2O3、分解所致,导电导热性能不好的In2O3又成为热量聚集的中心，使结瘤进一步发展;姚吉升等研究了结瘤物相组成及化学组分,认为结瘤是偏离了化学计量的ITO材料在靶材表面再沉积的结果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制备ITO靶材,研究了SnO2,分布状态对靶材表面结瘤形成速率的影响,认为低溅射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均匀分布是结瘤的主要原因。尽管结瘤机理尚不明确,但毋庸置疑的是,结瘤的产生严重影响ITO陶瓷靶材的溅射性能，因此,对结瘤的形成机理进行深入研究具有重要意义。在反应溅射过程中，靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离，金属表面重新暴露。新疆氧化物陶瓷靶材

ITO在薄膜太阳能电池中的作用是一种透明导电层，在电池中作为透光层主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极。辽宁镀膜陶瓷靶材厂家

通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。在反应溅射过程中，靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离，金属表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率，则化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成速率增加。如果反应气体量增加过多，复合覆盖面积增加，如果反应气体流量不能及时调整，复合覆盖面积增加的速度不会受到抑制，溅射通道将被化合物进一步覆盖。当溅射靶材完全被化合物覆盖时，靶材将完全中毒。靶材中毒变黑的影响a、正离子积聚：当靶材中毒时，在靶材表面形成绝缘膜。当正离子到达阴极靶表面时，由于绝缘层的阻挡，它们不能直接进入阴极靶表面。相反，它们沉积在靶材表面，很可能产生电弧放电——在冷场中产生电弧，使阴极溅射无法进行。b、阳极消失：当靶材中毒时，地面真空室壁上沉积绝缘膜，到达阳极的电子不能进入阳极，形成阳极消失现象。辽宁镀膜陶瓷靶材厂家

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