且便于连接微处理器.驱动信号一般由光耦电路产生。驱动电路主要是使控制输入信号通过光电耦合器传送，设计时可选择HcPI一1505、HC-PL_4506、TLP一759、TLP559等型号的光电耦合器，并使光耦与IPM控制端子间的布线短，北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销，布线阻抗小。以上推荐型号的光电耦合器均为发光二极管驱动方式，dv/dt的耐量小，故采用光耦阴极接限流电阻的驱动电路形式，北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销，完整的驱动电路如图2所示。图2驱动电路，其结构为交-直-交电压型变频器，通过PWM信号控制IGBT的导通，得到频率可变的交流输出，则可实现交流电机的无极调速。图3中，驱动单元共7组，上桥臂用3组，北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销，下桥臂用3组，制动用1组;控制电源共4组，上桥臂用3组，下桥臂与制动单元公用1组。P、N为主电源输入端(整流输入)，U、V、W接三相异步电机，P、B端接制动耗能电阻。图3应用电路1(变频调速)如图4所示为IGBT一IPM应用于有源电力滤波器的电路原理图。众所周知，由于接人电力系统的非线性负载融益增多，致使电力系统的电流渡形发生畸变，重影响电网供电质量及电气设备的正常安全运行。有源电力滤波器是一种用于动态抑制谐波和补偿无功的新型电力电子装置，它以实时检测为基础，通过IPM信号控制IGBT的导通，输出电流对畸变波形实时跟踪补偿。(2)过温保护(OT):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器。北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销

    图2是本实用新型装有IGBT功率组件和直流母线电容组件的结构示意图；图3是本实用新型装有IGBT功率组件的结构示意图；图4是本实用新型的直流母线电容组件的结构示意图；图5是本实用新型的交流输出铜排的结构示意图；图6是本实用新型的分解结构示意图；图7是本实用新型的分解结构示意图。其中：1：箱体2：IGBT功率组件3：直流母线电容组件4：叠层母排5：一绝缘层6：液冷换热器7：钣金隔板8：交流输出铜排9：放电电阻10：箱体底座11：直流母线电容12：钣金固定板13：正叠层铜排14：负叠层铜排15：第二绝缘层16：IGBT驱动板17：IGBT元件18：连接口19：汇流爪20：铜排21：绝缘固定块22：缺口23：小孔24：大孔25：连接孔26：凹槽27：把手。具体实施方式以下参照附图及实施例对本实用新型进行详细的说明。如图1-4所示，本实用新型的IGBT功率模块，包括箱体1以及设置在箱体内的IGBT功率组件2和直流母线电容组件3，箱体包括顶部的散热板和底部的箱体底座、连接散热板和箱体底座的侧板和箱体底座上方设置的护板。箱体内还包括叠层母排4、一绝缘层5、液冷换热器6、钣金隔板7、交流输出铜排8和放电电阻9。所述的直流母线电容组件包括多个直流母线电容11和钣金固定板12。北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间。

    该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。

    技术实现要素：本实用新型为了解决IGBT功率模块的直流母线电容组件安装、散热的问题，而提供一种高功率等级和高功率密度的IGBT功率模块。本实用新型为解决现有技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：本实用新型的IGBT功率模块，包括箱体以及设置在箱体内的IGBT功率组件和直流母线电容组件，箱体内还包括叠层母排、一绝缘层、液冷换热器、钣金隔板、交流输出铜排和放电电阻；所述的直流母线电容组件固定在叠层母排上，直流母线电容组件通过叠层母排设置在一绝缘层的两侧，IGBT功率组件设置在液冷换热器的两侧，液冷换热器设置在一绝缘层下方，IGBT功率组件与直流母线电容组件相对应，叠层母排分别与直流母线电容组件和IGBT功率组件的输入端并联连接，直流母线电容组件与IGBT功率组件设置在钣金隔板上，钣金隔板下方设置有箱体底座，箱体底座上的交流输出铜排与IGBT功率组件的输出端并联连接，放电电阻设置在钣金隔板的外表面上。所述的直流母线电容组件包括多个直流母线电容和钣金固定板，多个直流母线电容一侧设置在钣金固定板上，另一侧面与叠层母排并联连接。所述的叠层母排包括正叠层铜排和负叠层铜排，正叠层铜所述的钣金隔板底面形成有两个连接口。尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电。

    au-sn)合金焊料所构成的焊接合层构成。此接合体可为光电转换的组件，作为太阳能电池使用。简言之，焊接合用层合体及接合体。3.作为电极用途：一种导电银胶(conductivesilverpaste)，其包含微米级银粉、银盐、氨基苯酚型环氧化合物及固化剂，藉由合并采用银盐及氨基苯酚型环氧化合物，在较低造成本下，使其同时兼具良好作业性与高导电度的特性。简言之，导电银胶与导电银层。4.用于太阳能及电极：此用于形成电极的银胶组成物包括银粉、玻璃烧结粉、有机黏结剂、以及碳黑；其有良好的印刷适性、电性质、以及能量转换效率，可用于太阳能电池的电极。简言之，用于形成电极的银胶组成物及其制备方法。由上述可知，目前相关产业现况为喷胶、无热压、非奈米级银胶、以及银含量小于90％。其中喷胶应用针式点胶转移技术，以探针将浆料带出，藉由探针接触散热基板以完成浆料涂布，目前已有相关技术。但此探针式点胶为接触式点胶技术，容易因散热基板表面高低差过大而有破坏基板及基板表面涂层的情形发生，以致影响日后的电路焊锡零件蚀刻作业，并在长时间使用下促使探针损坏机率高，导致制程成本提高。面对目前为广用于电子封装产业的异质接合材料为铅锡合金两种。当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时，发生过温保护，门极驱动电路，输出故障信号。北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销

即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销

    使每个汇流爪均与IGBT功率组件中的２个IGBT元件相连接。IGBT功率组件上的电流可通过汇流爪绕过其上的大孔和小孔，汇流至交流输出铜排的输出端。同时绝缘固定块设置在箱体底座上。所述的汇流爪的底边上形成有缺口22，缺口两侧的汇流爪上形成有小孔23，缺口上方的汇流爪上形成有与IGBT功率组件连接的大孔24，铜排上形成有多个连接孔25和凹槽26，连接孔与汇流爪上的小孔相对应连接，凹槽设置在连接孔中间并与汇流爪上的大孔相对应。放电电阻设置在钣金隔板的外表面上，增加整体IGBT功率模块的安全性。所述的箱体底座的侧壁上形成有把手27，便于拆卸，并且这种把手设计使得整个箱体起到一个类似风道的作用，具有良好的散热、外观和装配性。本实用新型的组装过程：如图4所示，先将多个直流母线电容一侧固定在钣金固定板上组成直流母线电容组件，再将多个直流母线电容另一侧与叠层母排固定，然后将两组直流母线电容组件通过叠层母排安装在一绝缘层两侧的位置。如图3所示，先将液冷换热器固定于钣金隔板上两个连接口之间，再将IGBT功率组件分别置于液冷换热器的两面，然后将一绝缘层置于液冷换热器上方的钣金隔板上，并且将放电电阻固定在钣金隔板上。如图2所示。北京品质Mitsubishi三菱IPM模块工厂直销

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