二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    对充电限流电阻进行短接的开关，目前一般都采用机械接触器，但由于环境的影响，特别是在湿度大或带粉尘的环境下，往往会使触头损坏，另外接触器接通和断开时产生电弧，致使接触器寿命缩短而损坏，从而严重影响变频器的稳定可靠工作。为了解决上述存在的问题，常州瑞华电力电子器件有限公司采用FRED替代普通整流二极管，采用晶闸管替代机械接触器，制成如图1所示的“三相FRED整流桥开关模块”，这种模块用于变频器后，能使变频器性能提高、体积缩小、重量减轻、工作稳定可靠。本公司生产的“三相FRED整流桥开关模块”(型号为MFST)的主要参数见表1。4结束语2006年常州瑞华电力电子器件有限公司研发成功的“三相整流二极管整流桥开关模块”(型号为MDST)是由六个普通整流二极管和一个晶闸管组成，其内部电连接原理图如图1所示，它已用于VVVT、SMPS、UPS、逆变焊机以及伺服电机驱动放大器等具有直流环节的变频装置，并已取得很大成效。用超快恢复二极管(FRED)替代普通整流管所构成的“三相FRED整流桥开关模块”(型号为MFST)亦可用于上述各种电压型变频器，但可大幅度降低变频器噪音达15dB，这一效应将直接影响到变频器的EMI滤波电路内电容器和电感器的设计，并使它们的尺寸缩小。

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