近年来,随着信息技术和电子设备的快速发展及国际制造业向中国转移,电容器需求呈现出整体上升态势,我国电容器产业也快速发展成为世界电容器生产大国和出口大国。电容器产量约占整个电子元件的40%,且需求不断扩大。钽电容器诞生于1956年,是四大电容产品(MLCC/铝电解/钽电容/薄膜电容)之一。钽电容器产量较小,价格较贵,在整个电容器市场的应用占比较低;且拥有高能量密度、高可靠性、稳定的电性能、较宽的工作温度范围等特点,THCL-25V-12000uF-K-C3,尤其是具有“自愈性”;钽电容相应成本也高,主要应用于高可靠性电子设备,THCL-25V-12000uF-K-C3,THCL-25V-12000uF-K-C3,以及5G等民品市场。不同品牌和规格的钽电容具有不同的自恢复特性和动作阈值等参数,需要根据实际应用进行选择。THCL-25V-12000uF-K-C3
钽电容器等效串联电阻ESR过高和电路中交流纹波过高导致的失效。当某只ESR过高的钽电容器使用在存在过高交流纹波的滤波电路,即使是使用电压远低于应该的降额幅度,有时候,在开机的瞬间仍然会发生突然的击穿现象;出现此类问题的主要原因是电容器的ESR和电路中的交流纹波大小严重不匹配.电容器是极性元气件,在通过交流纹波时会发热,而不同壳号大小的产品能够维持热平衡的容许发热量不同.由于不同容量的产品的ESR值相差较高,因此,不同规格的钽电容器能够安全耐受的交流纹波值也相差很大,因此,如果某电路中存在的交流纹波超过使用的电容器可以安全承受的交流纹波值,产品就会出现热致击穿的现象.同样,如果电路中的交流纹波一定,而选择的钽电容器的实际ESR值过高,产品也会出现相同的现象.一般来说,在滤波和大功率充放电电路,必须使用ESR值尽可能低的钽电容器.对于电路中存在的交流纹波过高而导致的电容器失效问题,很多电路设计师都忽略其危害性或认识不够.只是简单认定电容器质量存在问题.此现象很多.CAK45L-C-35V-1uF-K在设计电路时,需要考虑钽电容的额定电压、电容值、工作温度和连接方式等因素。
钽电容的封装形式也有多种选择,包括直插式、针脚式、片式等。不同的封装形式适用于不同的电路设计和空间要求。与其它电子元件相比,钽电容的价格相对较高。然而,考虑到钽电容的高稳定性和低漏电流等优点,以及其在现代电子设备中的广泛应用,这一成本是值得的。在使用钽电容时,需要注意一些安全问题。例如,不要将钽电容放在高温环境中或者对其进行过度充电,这可能会导致电容器的或起火等危险情况。钽电容具有一定的自放电特性。这种自放电特性可能会导致电容器在长时间未使用后电压降低。然而,这种自放电现象并不会对电容器造成长久性损坏。
电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容,失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效,钽电容失效大部分是由于电路降额不足,反向电压,过功耗导致,主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。钽电容的电压和电容值等参数可以在制造商提供的技术规范中找到,以确保其在电路中的正确应用。
该公式不常用。但能指导为何温度低容量会变大。形成温度越高,氧化膜质量越好。但是温度太高,水分挥发厉害,就要不停地加水,并且易导致形成液电导率不稳定。一般磷酸稀水溶液的恒压温度控制在70-90℃之间,经过大量的实践证明,如果恒压温度低于70℃,导致氧化膜质量严重不稳定,湿测漏电超差,如果形成液选用乙二醇系列,恒压温度可适当提高。f)电流密度:低比容粉由于它的比表面积小,需要的升压电流密度就小,比容越高,比表面积就越大,需要的升压电流密度就大,一般C级粉,升压电流密度为10毫安/克,B级粉,升压电流密度为20毫安/克,高比容粉35-60毫安/克,视比容高低而定,详见工艺文件。在设计电子设备时,需要考虑钽电容的可靠性和耐久性等指标,以保证设备的长期稳定运行。GCA411C-40V-0.33uF-K-1
钽电容的封装形式多样,包括直插式、表面贴装式和针脚式等,以满足不同电路的需求。THCL-25V-12000uF-K-C3
标识方法(1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。(2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。(3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V(4)进口电容器的标识方法:进口电容器一般有6项组成。一项:用字母表示类别:第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1A金+100R黄-2202B灰+30S绿-33011P橙-150YN-800~-5800备注:温度系数的单位10e-6/℃;允许偏差是%。第四项:用数字和字母表示耐压,字母表示有效数值,数字表示被乘数的10的幂。第五项:标称容量,用三位数字表示。THCL-25V-12000uF-K-C3
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