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成都贴片振荡器内部结构 欢迎咨询 成都晶宝时频技术股份供应

信息介绍 / Information introduction

压控晶体振荡器主要应用在需要小范围调整频率、频率精度要求高、电压不同/干扰较大等场景中,蜂窝基站、移频直放站、测试设备等是VCXO的主要下游市场。压控晶体振荡器,成都贴片振荡器内部结构,简称压控晶振,英文简称VCXO,成都贴片振荡器内部结构。VCXO是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器,是一种有源晶振。通过控制电压改变变容二极管电容量,可以调制VCXO的震荡频率,因此VCXO的频率范围较宽,且具有电流损耗低、频率稳定度好等优点。采用倍频方案,成都贴片振荡器内部结构,VCXO可实现高频率输出;将VCXO输出信号与其他晶体振荡器输出信号混频,其信号调谐范围可明显增大;VCXO作为晶体振荡器的一种,其频率会随着温度变化而发生改变,采用温度补偿法可以降低环境温度对VCXO振荡频率的影响,即温度补偿压控晶体振荡器(TCVCXO)。品质至上,价格亲民,交期保障,成都晶宝值得信赖!成都贴片振荡器内部结构

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一个“压控石英振荡器(voltage-controlledcrystaloscillator,VCXO)”通常被使用在下列场合:当频率需要在小范围内的调整时、当正确的频率或相位对于振荡器而言是十分重要时、利用不同电压来当作控制源的振荡器、用来分散在某个频率范围内的干扰使该频段不受到太大的影响。压控石英振荡器的典型频率变化在数十个ppm之间,这是因为系数的石英振荡器只会产生少量的频率范围位移。当射频电路发射电波时,会有热量产生而发生频率漂移,而使得温度补偿压控石英振荡使用很广,因为TCVCXO不会受到温度的影响而改变其压电特性。成都贴片振荡器内部结构成都晶宝振荡器品质,您可信赖的选择!

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压控晶体振荡器的对频率稳定度要求压控晶体振荡器用石英晶体作频率控制元件,其振荡频率在工作温度内是稳定的。当我们对VCXO压控晶体振荡器的进行调谐时,振荡频率会发生改变;但偏离标称频率的各个频率值在工作温度范围内同样是稳定的。必须注意,对于一个给定的频率而言,频率稳定度要求越高,要得到大范围的牵引度就越困难。采用硅解决方案,不能获得良好的频率稳定度。这是因为硅存在颤动噪声和相位噪声所致。VCXO压控晶体振荡器的采用了SMD晶振,频率异常稳定,是目前很的频率控制器件。

如何正确选型压控晶体振荡器首先,要弄清楚具体应用场合是需要压控晶振,还是一般的振荡器。当设计人员希望通过外加控制电压来对振荡器的频率作小范围的调谐时,就应选用VCXO压控晶振器件。我们把这种振荡器调谐称为牵引度(pullability)。牵引度用10-6数量级表示。VCXO压控晶振牵引度的典型值为±50×10-6~±200×10-6,要得到这种范围的牵引度,VCXO压控晶振产品一般采用标准圆形石英晶振。为了满足牵引度范围大的要求,设计上须用大尺寸晶体(直接0.25英寸~0.35英寸)。此外,如果要得到大范围的牵引度,VCXO压控晶振产品的晶体应是基模晶体。VCXO压控晶振的技术规范中列有多项性能参数。这些参数往往是相互关联的。我们不能一味追求某些参数的高指标而忽视由此引起的其它参数的劣化。例如,VCXO压控晶振的允许的频率控制范围就是有限制的。一般来说,如果要求VCXO压控晶振的有较大的牵引度,则它在工作温度范围内的频率稳定度就较差。反之,如果对频率稳定度要求高,就很难得到较大的牵引度(>±200×10-6)。因此,正确了解压控晶振的技术规范和使用要求,对于在设计上用好这种器件是很关键的。振荡器专业,价格实惠,交期稳定,成都晶宝值得信赖!

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压控晶体振荡器VCXO封装发展趋势是朝SMD方向发展,并且在电源电压方面尽可能采用3.3V。该系列VCXO石英晶体振荡器的工作频率点是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz,频率温度特性±2.5ppm/-30~+75℃,频率电压特性±0.3ppm/5V±5%,老化特性±1ppm/年,内部采用SMD/SMC,并采用激光束和汽相点焊方式封装,高度为4mm。应用:移频直放站、测试设备、蜂窝基站。小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话等便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。低功能,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V.许多VCXO晶振产品,电流损耗不超过2mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。石英振荡器品质好,欢迎联系成都晶宝!上海压控温补振荡器参数

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温补晶体振荡器中,按照频率温度漂移的补偿方法主要分为两种类型:直接补偿和间接补偿。直接补偿型晶体振荡器:这种类型的晶振采用了热敏电阻和阻容元件,构成了一个温度补偿电路,与石英晶体振子串联连接。在温度变化时,热敏电阻的电阻值和晶体的等效串联电容值会相应变化,以抵消或减小振荡频率的温度漂移。。间接补偿型TCXO:这一类型的补偿方式分为模拟式和数字式两种。模拟式间接补偿:采用温度传感元件(如热敏电阻)组成温度-电压变换电路,并将其输出电压施加到晶体振子串联的变容二极管上。通过改变晶体振子的串联电容,实现对晶体振子非线性频率漂移的补偿。这种方式能够实现高精度,达到±0.5ppm的频率稳定度,但在低于3V的低电压环境下可能受到一定限制。数字式间接补偿:在模拟式补偿电路中,引入了一级模/数(A/D)变换器,将模拟信号转换为数字信号。这使得晶体振荡器可以实现自动温度补偿,从而获得非常高的频率稳定度。不过,这种补偿方式的电路更为复杂,成本也相对较高,主要用于对高精度频率要求较高的应用,如基站和广播电台等领域。成都贴片振荡器内部结构

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