生产流程方面的测试

如从生产流程方面的测试讲，IC测试一般又分为芯片测试、成品测试和检验测试，除非特别需要，芯片测试一般只进行直流测试，而成品测试既可以有交流测试，也可以有直流测试，在更多的情况下，这两种测试都有。在一条量产的生产线上，检验测试尤为重要，大邑IC测烧哪里好，它一般进行和成品测试一样的内容，它是**用户对即将入库的成品进行检验，体现了对实物质量以及制造部门工作质量的监督。

模拟电路的测试

就模拟电路的测试而言，IC测试一般又分为以下两类测试，其一是直流特性测试，主要包括端子电压特性、端子电流特性等；其二是交流特性测试，大邑IC测烧哪里好，这些交流特性和该电路完成的特定功能密切有关，大邑IC测烧哪里好，比如一块音频功放电路，其增益指标、输出功率、失真指标等都是很重要的参数；色处理电路中色解码部分的色差信号输出，色相位等参数也是很重要的交流测试项目。 芯片技术的迅猛发展和不断更新,给芯片烧录带来的技术性问题直接影响产品品质和生产周期。大邑IC测烧哪里好

如从生产流程方面的测试讲，IC测试一般又分为芯片测试、成品测试和检验测试，除非特别需要，芯片测试一般只进行直流测试，而成品测试既可以有交流测试，也可以有直流测试，在更多的情况下，这两种测试都有。在一条量产的生产线上，检验测试尤为重要，它一般进行和成品测试一样的内容，它表示用户对即将入库的成品进行检验，体现了对实物质量以及制造部门工作质量的监督。

IC测试关乎后面产品的稳定性和产品良品率，是需要企业十分重视的工位，优普士帮企业代烧录芯片和测试，严格的按照生产检测流程进行测试。 韶关IC测烧一体化为您减少成本，提高效能，品质保证，优良服务。

芯片测试之芯片功能性测试

一款合格的芯片产品，不仅是要在原材料的应用和工艺方面多加注意，还有就是做好芯片测试也很重要，因为只有在经过测试后才能确认下产品是否合格，所以在进行测试的时候，还要了解下具备包含哪些内容，成功的完成测试。

说到当前的芯片测试，其中较为基础的就是功能性测试，简单的来说，就是测试一下芯片的参数，还有芯片的指标，包括芯片的功能如何，这些都是属于其中基本的测试内容，只有经过这项测试后，才能了解下芯片是否能满足功能需要，是否能成功的上市销售。

DIP(DualIn－line Package)双列直插式封装称DIP或DIL(这是欧洲半导体制造商常用的名称)。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。

Cerdip——用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

DIC——陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称DIL——DIP的别称，欧洲半导体厂家多用此名称。

SDIP——收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。

SK-DIP——DIP的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。通常统称为DIP。

SL-DIP——DIP的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。通常统称为DIP。 主要客户群体是：芯片原厂、IC方案公司，智能终端，元器件，显示器件等。

Flash又分NANDFlash和NORFlash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

（1）NorFlash：主要用来执行片上程序优点：具有很好的读写性能和随机访问性能，因此它先得到广泛的应用；缺点：单片容量较小且写入速度较慢，决定了其应用范围较窄。

（2）NANDFlash：主要用在大容量存储场合优点：高效的读写性能、较大的存储容量和性价比，因此在大容量存储领域得到了广泛的应用；缺点：不具备随机访问性能。 OPS专业的芯片烧录、测试、包装转换、印字及Memory高低温老化测试设备服务。高端定制芯片IC测烧报价行情

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IC产品可靠性等级测试有哪几种？

1、TCT:高低温循环试验（TemperatureCyclingTest）

目的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。

测试条件：

ConditionB：-55℃to125℃

ConditionC：-65℃to150℃

失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层

2、TST:高低温冲击试验（ThermalShockTest）

目的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。

方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

测试条件:

ConditionB：-55℃to125℃

ConditionC：-65℃to150℃

失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bondwires）,导体机械变形

3、HTST:高温储存试验（HighTemperatureStorageLifeTest）

目的：评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。

测试条件：150℃

失效机制：化学和扩散效应，Au-Al共金效应

4、可焊性试验（SolderabilityTest）

目的：评估ICleads在粘锡过程中的可靠度测试

方法：Step1：蒸汽老化8小时Step2：浸入245℃锡盆中5秒失效标准（FailureCriterion）：至少95％良率

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