提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时，防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题，河南耳机接口ESD保护元件应用，此时可以采用以下优化设计方法，提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压，使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联，导通电压提高n倍;两只二极管反向串联，导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C，河南耳机接口ESD保护元件应用，河南耳机接口ESD保护元件应用.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后，高频信号通过二极管对电容充电，电容充电后对二极管提供偏压，提升二极管的正向导通电乐。ESD静电保护元件一般为硅基材料器件，相应速度可做到ps级。河南耳机接口ESD保护元件应用

ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。·电流>1A，·上升时间～15ns，衰减时间～150ns。ESD静电放电的特点：静电起电的**常见原因是两种材料的接触和分离。**经常发生的静电起电现象是固体间的摩擦起电现象。此外还有剥离起电、破裂起电、电解起电、压电起电、热电起电、感应起电、吸附起电和喷电起电等。物体的静电起电—放电一般具有高电位、强电场和宽带电磁干扰等特点。河南耳机接口ESD保护元件应用ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小。

静电的发生机制。由于不同原子的原子核对电子的束缚能力不同，物体相互靠近时，电子就会在物体之间发生转移，从而导致电荷在物质系统之间的不均匀分布，打破原本的平衡状态。所谓静电，其实就是这些发生转移、在某一物体上积累下来的电荷，而由这些电荷引发的诸多现象，如头发炸毛、电脑屏幕粘上灰尘等，就是静电现象。当我们活动时，身体、衣物会和地面、空气等产生摩擦，使电子在它们之间发生转移，从而使身体带电。我们的鞋子大多是绝缘的橡胶底，身体累积的电荷不可能通过鞋导给大地，于是身体的电荷逐渐累积，也就产生了静电。静电现象在冬天比在夏天更为常见，这与不同湿度下空气的导电能力有关。相对湿润时，空气中漂浮着大量微小液滴，可以转移身体的一部分电荷，而冬天气候干燥，室内外温差更**的温差会降低空气相对湿度，因此摩擦带来的电荷很容易积累起来。

TVS/ESD静电保护元件阵列，ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容，与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数（高达1000）之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压，进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD，是一种过压保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容，具有优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数高达1000之后，进而改善对敏感电子元件的保护。 常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。

静电ESD保护元件选型注意事项：1.传输速率，也就是电容量的控制，现在随着工艺的不断完善，电容量越做越低。2.符合测试要求的标准，不是越高越好，而是适合自已的产品，例如：空气放电15KV 接触 8KV3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑，yint公司首席技术经理，说过一句很经典的话，在电路中，假如非万不得已不要增加多余的器件，每增加一个，就是增加失效风险，保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件，它也有失效益机率，所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。ESD静电放电常见放电模型有：分别是HBM，MM, CDE。重庆按键接口ESD保护元件测试

静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响。河南耳机接口ESD保护元件应用

高频接口的ESD防护电路设计方法，接口的ESDS要求和ESSD选择，通信产品内部接口的静电放电风险主要是在产品及其部件的组装和测试过程，当制造环境和测试策略进行适当的防静电控制后，ESD风险能够得到一定程度的降低，但是实际经验表明，这些内部接口的静电放电敏感度(ESDS)仍然需要达到+2000V以上才是比较安全的。通信产品外部接口的ESD风险不仅存在于产品及其部件的组装和测试过程，更主要的是用户的使用过程，实际经验表明，这些外部接口的ESDS需要达到+4000V以上时才能有效防止接口器件被ESD损坏。为了提高接口的抗静电能力，用于高频接口的静电敏感器件(ESSD)应选用防静电能力强的器件，并需要同时考虑接口器件静电敏感度的人体模式(HBM)、机器模式(MM)和器件充电模式(CDM)参数。一般HBM参数应不低于500V，CDM和MM参数应不低工200V。河南耳机接口ESD保护元件应用

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