缺点容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流能力较弱。它被应用于大容量滤波的地方，像CPU插槽附近就看到钽电容的身影，多同陶瓷电容，电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方，CAK45L-F-4V-470uF-K。三、主要特性(1)具有单向导电性，即所谓有“极性”，应用时应按电源的正、负方向接入电流，电容器的阳极(正极)接电源“+”极，阴极(负极)接电源的“-”极如果接错不仅电容器发挥不了作用，CAK45L-F-4V-470uF-K，而且漏电流很大，CAK45L-F-4V-470uF-K，短时间内芯子就会发热，破坏氧化膜随即失效。(2)工作电压有一定的上限平值，但这方面的缺点对配合晶体管或集成电路电源，是不重要的。(3)可以非常方便地获得较大的电容量，在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。(4)具有非常高的工作电场强度，并较任何类型电容器都大，以此保证它的小型化。(5)具有储藏电量、进行充放电等性能。钽电容的体积小，单位体积电容量大，适合用于空间限制较高的电路中。CAK45L-F-4V-470uF-K

如果不分电路的回路阻抗类型,一概降额50%,在回路阻抗比较低的DC-DC电路,一开机就有可能瞬间出现击穿短路或现象.在此类电路中使用的电容器应该降额多少,一定要考虑到电路阻抗值的高低和输入输出功率的大小和电路中存在的交流纹波值的高低.因为电路阻抗高低可以决定开关瞬间浪涌幅度的大小。内阻越低的电路降额幅度就应该越多。对于降额幅度大小,切不可一概而论.必须经过精确的可靠性计算来确定降额幅度.4.5、用电压合适,但峰值输出电流过大。钽电容器在工作时可以安全承受的比较大直流电流冲击I,与产品自身等效串联电阻ESR及额定电压UR存在如下数学关系;I=UR/1+ESR如果一只容量偏低的钽电容器使用在峰值输出电流很大的电路,这只产品就有可能由于电流过载而烧毁.这非常容易理解.GCA45-D-6.3V-100uF-K钽电容在汽车电子系统中的应用日益变广，需要满足汽车环境下的高温、振动和耐久性等要求。

钽电容器漏电流偏大导致实际耐压不够。此问题的出现一般都由于钽电容器的实际耐压不够造成.当电容器上长时间施加一定场强时,如果其介质层的绝缘电阻偏低,此时产品的实际漏电流将偏大.而漏电流偏大的产品,实际耐压就会下降.出现此问题的另外一个原因是关于钽电容器的漏电流标准制定的过于宽松,导致有些根本不具备钽电容器生产能力的公司在生产质量低劣的钽电容器.普通的室温时漏电流就偏大的产品,如果工作在较高的温度下,其漏电流会成指数倍增加,因此其高温下的实际耐压就会大幅度下降.在使用温度较高时就会非常容易出现击穿现象.高温时漏电流变化较小是所有电容器生产商努力的重要目标之一,因此,此指标对可靠性的决定性影响不言而愈.如果你选择使用的钽电容器的漏电流偏大,实际上它已经是废品,出问题因此成为必然.

5G基站对电子元器件先择的首要条件，就是要能满足户外温度波动下，产品的使用寿命及可靠性，要能得到可靠性保证，所以很多场合只能选用钽电容产品进行设计。而且5G基站由于覆盖范围有限，在基站建设数量上要比现在的4G基站多出2到3倍才能在覆盖范围上达到相对满意的用户体验。目前中国在建和规划的4G基站约为900万个，所以正在开工建设的5G基站要达到同样的覆盖率要求，至少需要约3000万个基站才行，这对于行业产能有限的钽电容供应方来说，压力同样是空前的。另外以特斯拉等新能源汽车的产销量流行病后正在快速市场修复，导致车用电源的钽电容用量随之增长。中汽协数据示中国6月新能源汽车销量10.4万辆，同比-33%、环比+27%正在快速恢复。而钽电容的大户特斯拉由于中国厂区的快速出货，更是让行业需求更加紧张。选择合适的钽电容需要考虑电路的需求、电压、电流、温度等因素。

钽电容器漏电流偏大导致实际耐压不够此问题的出现一般都由于钽电容器的实际耐压不够造成.当电容器上长时间施加一定场强时,如果其介质层的绝缘电阻偏低,此时产品的实际漏电流将偏大.而漏电流偏大的产品,实际耐压就会下降.出现此问题的另外一个原因是关于钽电容器的漏电流标准制定的过于宽松,导致有些根本不具备钽电解电容器生产能力的公司在生产质量低劣的钽电容器.普通的室温时漏电流就偏大的产品,如果工作在较高的温度下,其漏电流会成指数倍增加,因此其高温下的实际耐压就会大幅度下降.在使用温度较高时就会非常容易出现击穿现象.高温时漏电流变化较小是所有电容器生产商努力的重要目标之一,因此,此指标对可靠性的决定性影响不言而愈.如果你选择使用的钽电容器的漏电流偏大,实际上它已经是废品,出问题因此成为必然.钽电容的电压和电容值等参数可以在制造商提供的技术规范中找到，以确保其在电路中的正确应用。GCA44-B-4V-3.3uF-K

不同品牌的钽电容在性能、可靠性和价格等方面存在差异，需要根据实际需求进行选择。CAK45L-F-4V-470uF-K

电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。CAK45L-F-4V-470uF-K

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