研究结果表明，若压敏电阻存在着制造缺陷，易发生早期失效，强度不大的电冲击的多次作用也会加速老化过程，使老化失效提早出现，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性。而氧化锌压敏电阻器出现暂态过电压破坏则是一个短时间内造成器件损坏的情况，所谓的暂态过电压破坏，指的是短时间内出现较强的暂态过电压使电阻体穿孔，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性，导致更大的电流而高热起火，整个过程在较短时间内发生。按照氧化锌压敏电阻器失效后的表现情况来看，可以分成三种常见的失效状态，即劣化，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性、炸裂和穿孔。当表现为劣化状态时，实物表现为使用万用表测试压敏电阻时出现漏电流增大情况，压敏电压下降，直至为零。当表现为炸裂情况时，则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象，非常明显。当氧化锌压敏电阻器表现为穿孔情况时，则电阻器的陶瓷外层将会瞬间发生电击穿，出现穿孔状态。压敏电阻是一种过压保护元件，一般用于交流电路浪涌保护。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性

压敏电阻材质：**常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻（MOV, Metal Oxide Varistor），它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块，夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应，由于有大量杂乱颗粒，使得它等同于一大堆背向相连的二极管，低电压时只有很小的逆向漏电电流，当遇到高电压时，二极管因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃，流通大电流。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。由于主要成份或品牌的不同，金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR (Composite Nonlinear Resistor[2])，TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是 Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性压敏电阻是一种传统的电路保护器件，一般用于电路防雷保护或浪涌保护。

压敏电阻常常与保护元件并联使用，要是放在电源入口处基本在保险丝后面，当压敏电阻失效后保险丝可以起到保护作用。而热敏电阻在高压回路中一般是上电瞬间限流，单独串在电路中一般选用NTC负温度系数热敏电阻。一般电源的工作电压为85~265V，比较大应该也不会300V（小于压敏的连续工作电压），国内的标准电压为220V。压敏电阻电压选择：V1mA=1.5Vpp=2.2VAC，Vpp为额定峰值电压（根号2xVAC）。VAC为交流有效值。其中的1.5与2.2为安全余量系数，是一个大概的取值范围，1.5为VmA＝av/bc式中：a为电路电压波动系数，一般取1.2；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差，一般取0.85；c为元件的老化系数，一般取0.9；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的1.5倍。交流电压安全倍数≧（2.2~2.5），这里取2.2。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。14d（14mm）压敏电阻的通流量一般为4.5kA，高焦耳产品通流量一般为6kA。

压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。压敏电阻器两端的直流或交流电压在应用时应低于标称电压。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性

当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时，流过它的电流极小，它相当于一个阻值无穷大的电阻。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性

压敏电阻比较大能量（能量耐量）：压敏电阻所吸收的能量通常按下式计算W=kIVT(J)其中I——流过压敏电阻的峰值；V——在电流I流过压敏电阻时压敏电阻两端的电压；T——电流持续时间；k——电流I的波形系数。对：2ms的方波k=1，8/20μs波k=1.4，10/1000μsk=1.4。压敏电阻对2ms方波，吸收能量可达330J每平方厘米；对8/20μs波，电流密度可达2000A每立方厘米，这表明他的通流能力及能量耐量都是很大的。一般来说压敏电阻的片径越大，它的能量耐量越大，耐冲击电流也越大，选用压敏电阻时还应当考虑经常遇到能量较小、但出现频率次数较高的过电压，如几十秒、一两分钟出现一次或多次的过电压，这时就应该考虑压敏电阻所能吸收的平均功率。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性

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