人体放电模型(HBM)法规:十九世纪时,人们曾用这种模型来调查矿坑中的气体混合物事件。美国***标准MIL-STD-883的第3015.8号方法建立了一个简化的等效电路,广东SIM卡ESD保护元件选型,以及模拟人体模型需要的测试程序。另一个国际广为使用的法规是ANSI/ESDA-JEDECJS-001:静电放电敏感度测试。人体模型主要用在工厂生产环境中,另一个类似的法规IEC61000-4-2,广东SIM卡ESD保护元件选型,是系统级的静电测试法规,则是在在系统层级的测试,广东SIM卡ESD保护元件选型。我国静电放电对应的国标相对应的标准为GB/T17626.2。静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地,另一条通过内部PCB流向大地。广东SIM卡ESD保护元件选型
ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时,产品的组装、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤,通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生,因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外,还要加强产品的ESD防护设计,尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品可靠性的一个重要环节。广东SIM卡ESD保护元件选型SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。
静电可吸附空气中很多的浮尘并且通电性越大、吸附浮尘的数目就越大,而浮尘中通常带有很多种有毒物质和病原菌,轻则刺激性肌肤,危害肌肤的光泽度和鲜嫩,重则使肌肤起癍长疮,更明显的还会继续引起慢性***和心率失常等病症。静电造成主要是与衣着相关,化学纤维类服饰摩擦会“生电”。干燥的时节,这类慢慢累积上去的静电工作电压超出3000伏时,便会造成“打架”状况,充放电时可听见“哗啦啦”的响声,摸电导体的手觉得麻痛。人的身上的静电尽管工作电压很高,但电流量不大,不容易发生相近“触电事故”的风险。
MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。
Resistor不单独用于芯片的ESD保护,它往往用于辅助的ESD保护,如芯片Input***级保护和第二级保护之间的限流电阻。当ESD电流过大,***级ESD器件难以将电压钳位至安全区域时,第二级ESD器件的导通将使其与电阻分压,从而进一步降低进入内部电路的电压。又如用于GG-NMOS的栅电阻,如图6所示,NMOS的栅极通过一电阻接地,而非直接接地。如此一来,在NMOS漏端发生正向的ESD脉冲时,由于NMOS的漏一栅电容,会使得器件的栅极耦合出一正的电势,该电势会促使NMOS的沟道开启,从而起到降低NMOS在ESD应力下触发电压的目的。电阻不单独用于芯片的静电保护,它往往用于辅助的静电保护,如芯片***级保护和第二级保护之间的限流电阻。浙江SD卡ESD保护元件应用
使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。广东SIM卡ESD保护元件选型
ESD保护,在将电缆移去或连接到网络分析仪上时,防止静电放电(ESD)是十分重要的。静电可以在您的身体上形成且在放电时很容易损坏灵敏的内部电路元件。一次太小以致不能感觉出的静电放电可能造成长久性损坏。为了防止损坏仪器,应采取以下措施:1、保证环境湿度。2、铺设防静电地板或地毯。3、使用离子风枪、离子头、离子棒等设施,使在一定范围内防止静电产生。4、半导体器件应盛放在防静电塑料盛器或防静电塑料袋中,这种防静电盛器有良好导电性能,能有效防止静电的产生。当然,有条件的应盛放在金属盛器内或用金属箔包装。5、操作人员应在手腕上带防静电手带,这种手带应有良好的接地性能,这种措施**为有效。广东SIM卡ESD保护元件选型
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