这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间隔，实现上下壳体的结构连接，以达到较高的防护强度和气闭密封，并为主电极引出提供支撑。

    所述火线管脚l、所述零线管脚n、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain与临近管脚之间的间距一般设置为大于2mm，不能低于，包括但不限于～2mm，2mm～3mm，进而满足高压的安全间距要求。作为本实施例的一种实现方式，所述信号地管脚gnd的宽度大于，进一步设置为～1mm，以加强散热，达到封装热阻的作用。在本实施例中，如图1所示，所述火线管脚l、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain位于所述塑封体11的一侧，所述零线管脚n、所述信号地管脚gnd及所述采样管脚cs位于所述塑封体11的另一侧。需要说明的是，各管脚的排布位置及间距可根据实际需要进行设定，不以本实施例为限。如图1所示，所述整流桥的一交流输入端通过基岛或引线连接所述火线管脚，第二交流输入端通过基岛或引线连接所述零线管脚，一输出端通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，第二输出端通过基岛或引线连接所述信号地管脚。具体地，作为本实用新型的一种实现方式，所述整流桥包括四个整流二极管，各整流二极管的正极和负极分别通过基岛或引线连接至对应管脚。在本实施例中，所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现，其中，一整流二极管dz1及第二整流二极管dz2为n型二极管。

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