4.模块基板的形状与接触热阻模块的热量要通过基板传导出去，因此，模块基板与散热器接触的好坏，即模块基板与散热器的接触热阻直接影响模块的散热效果。若模块焊接的工艺不合理，基板通常会产生中间向下凹的现象，因此，当将模块固定在散热器上时，模块的中间部分不能与散热器很好地接触，使散热器不能充分发挥作用，导致模块无法通过额定电流，通过很小的电流就会烧毁。5.模块的电流容量由于模块是单面散热，若模块的电流容量做得过大，其消耗的功率必将增大，当模块电流容量达到一定的数值时，要求模块与散热器之间的热阻非常小，这是采用常规的散热方法所无法达到的。特别是对于大电流模块，用于散热的基板面积很大，要保证模块基板的整个平面与散热器具有良好的接触，单靠模块的几个紧固螺栓是很难达到的。若接触不良或局部接触不上，模块与散热器的接触热阻将增加几倍或几十倍以上，模块的电流量将下降。所以，某些模块虽然标称几千安的电流容量，而在实际应用中很难达到其标称额定电流容量，因此，模块并不是电流越大越好。

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。

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