齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,广东40KATVS孤光电压,广东40KATVS孤光电压,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V,广东40KATVS孤光电压。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。车规级TVS的制作工艺更加严格,一般要用车规级的硅片。广东40KATVS孤光电压
要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在 TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。广东40KATVS孤光电压TVS array是将小功率TVS与二极管通过电路设计包封在特定封装内具有特定功能的器件.
PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压,因此,PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。
箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒;对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种,按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如:各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列(适用多线保护)、贴片式、组件式和大功率模块式等。TVS的性能优于压敏电阻MOV。
上海来明电子有限公司成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案,包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等,致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道,为客户提供***增值服务,持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系,可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来,我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值,以不断创新和服务价值输出,成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。TVS与MOV比,具有较低的钳位电压。广东40KATVS孤光电压
来明电子具有大量常用TVS现货产品。广东40KATVS孤光电压
热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。广东40KATVS孤光电压
上海来明电子有限公司致力于电子元器件,是一家贸易型的公司。公司业务分为TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等,目前不断进行创新和服务改进,为客户提供良好的产品和服务。公司将不断增强企业重点竞争力,努力学习行业知识,遵守行业规范,植根于电子元器件行业的发展。来明电子立足于全国市场,依托强大的研发实力,融合前沿的技术理念,及时响应客户的需求。
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