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陕西USB2.0ESD保护元件参数 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

静电可吸附空气中很多的浮尘并且通电性越大、吸附浮尘的数目就越大,而浮尘中通常带有很多种有毒物质和病原菌,轻则刺激性肌肤,危害肌肤的光泽度和鲜嫩,重则使肌肤起癍长疮,更明显的还会继续引起慢性***和心率失常等病症。静电造成主要是与衣着相关,陕西USB2.0ESD保护元件参数,化学纤维类服饰摩擦会“生电”。干燥的时节,这类慢慢累积上去的静电工作电压超出3000伏时,便会造成“打架”状况,充放电时可听见“哗啦啦”的响声,摸电导体的手觉得麻痛。人的身上的静电尽管工作电压很高,陕西USB2.0ESD保护元件参数,但电流量不大,陕西USB2.0ESD保护元件参数,不容易发生相近“触电事故”的风险。ESD放电具有高频、快速放电特性,对防护器件的响应速度要求较高。陕西USB2.0ESD保护元件参数

人体静电电压比较高可达约50kV以下,因为当存在连续起电过程时,由于电荷泄漏和放电,使得人体比较高电位得以被限制。2、一般生活中,在不同湿度条件下,人体活动产生的静电电位有所不同。在干燥的季节,人体静电可达几千伏甚至几万伏。3、产生原因:人体静电是由于人的身体上的衣物等相互摩擦产生的附着于人体上的静电。静电的产生是由于原子核对外层电子的吸引力不够,从而在摩擦或其它因素的作用下失去电子,于是造成摩擦物带负电荷。在摩擦物绝缘性能比较好的情况下,这些电荷无法流失,就会聚集起来。并且由于绝缘物的电容性极差,从而造成虽然电荷量不大但电压很高的状况。江苏低电容ESD保护元件厂家高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感。

MOV具有ns级的快速响应,但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容,但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快,可达ps级,其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快,可达ps级,其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同,其结电容可达到1pF以下。可见,MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护,当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。

在高频接口还可以采用电阻衰减网络和LC滤波电路形成ESD保护。电阻衰减网络在很宽的频带范围都有较好的适应性,但是它在衰减ESD脉冲的同时,对高频信号进行同比例衰减,改变了电路系统的增益分配,而且在低噪声要求的高频接口不能采用此方法。从图1的ESD频谱可见,数百MHz以下的高频接口很难使用滤波方法实现ESD防护,只有在GHz以上的高频接口且使用LC高通滤波器才具有可实现性。适用于高频信号接口的ESD防护电路必须有很小的并联结电容、较小的串联电感和很快的响应速度,这对防护器件参数的选取、PCB布局的寄生参数控制、阻抗匹配以及布板面积都有较高的要求,实际实现起来并不简单。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。

ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增大。尤其当这些器件应用于信号接口时,产品的组装、测试和用户使用过程中接口的高接触率、电缆放电(CDE)等常使接口器件长久或潜在损伤,通信产品接口器件在生产中和市场上的ESD损坏事故频频发生,因此在设计和制造通信产品时除了加强产品制造过程的ESD控制外,还要加强产品的ESD防护设计,尤其是高频信号接口的ESD防护设计已成为提高通信产品可靠性的一个重要环节。防静电的四项基本原则一:等电位连接,与敏感器件接触的导体实现等电位连接,避免因导全带静电发生放电。陕西USB2.0ESD保护元件参数

电阻不单独用于芯片的静电保护,它往往用于辅助的静电保护,如芯片***级保护和第二级保护之间的限流电阻。陕西USB2.0ESD保护元件参数

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