MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,湖北低压ESD保护元件应用,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,湖北低压ESD保护元件应用,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,湖北低压ESD保护元件应用,GD-PMOS)。ESD静电保护元器件是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。湖北低压ESD保护元件应用
人体放电模型(HBM)是静电放电(ESD)模型的一种,是分析电子元件对静电放电耐受性特性时,**常使用的模型。人体放电模型是模拟带有静电的人碰到电子元件时,在几百纳秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流。对2千伏的ESD放电电压而言,其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33安培。1.HBM:HumanBodyModel,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb为等效人体电阻,Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。湖北低压ESD保护元件应用ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地。
静电可以引起电气绝缘和电子元器件击穿是否正确?这一表述是合理的,工作电压可以做到几万元伏的,假如在电子元器件上边一瞬间的话,便会击穿里边的一些电子器件。火花放电会造成**的,损害医生和病人;在煤矿业,则会造成煤层气,会造成职工伤亡,煤矿损毁。总而言之,静电伤害起因于用电力工程和静电火苗,静电伤害中**明显的是静电充放电造成易燃物的着火和。静电的危害:身体长期性在静电辐射源下,会让人烦躁不安、头疼、胸闷气短、呼吸不畅、干咳。在家庭生活之中,静电不但化纤衣服有,脚底的毛毯、日常的塑胶用品、漆料家具直到各种各样家用电器均很有可能发生静电状况。
静电可吸附空气中很多的浮尘并且通电性越大、吸附浮尘的数目就越大,而浮尘中通常带有很多种有毒物质和病原菌,轻则刺激性肌肤,危害肌肤的光泽度和鲜嫩,重则使肌肤起癍长疮,更明显的还会继续引起慢性***和心率失常等病症。静电造成主要是与衣着相关,化学纤维类服饰摩擦会“生电”。干燥的时节,这类慢慢累积上去的静电工作电压超出3000伏时,便会造成“打架”状况,充放电时可听见“哗啦啦”的响声,摸电导体的手觉得麻痛。人的身上的静电尽管工作电压很高,但电流量不大,不容易发生相近“触电事故”的风险。静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地,另一条通过内部PCB流向大地。
静电保护元件被广泛应用于HDMI接口、便携式视频设备、LCD等离子电视、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系统、便携设备(PDA、DSC、蓝牙)、打印机接口、卫星接收器、DVI、天线等进而改善对敏感电子元件的保护。注意事项编辑 播报1.传输速率,也就是电容量的控制,现在随着工艺的不断完善,电容量越做越低。2.符合测试要求的标准,不是越高越好,而是适合自已的产品,例如:空气放电15KV 接触 8KV。3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑,yint公司首席技术经理,说过一句很经典的话,在电路中,假如非万不得已不要增加多余的器件,每增加一个,就是增加失效风险,保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件,它也有失效益机率,所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。湖北低压ESD保护元件应用
IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。湖北低压ESD保护元件应用
根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构,防护器件的结电容需要满足表1的要求,防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压,同时要远远小于被保护器件的ESD或值电乐,ESD防护电路的响应时间要小于被保护器件的响应时间。高频信号频率低于1GHz,可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护,如果信号功率小,峰值电平低于二极管的正向导通电压,也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护,如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压,应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。湖北低压ESD保护元件应用
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