实验表明，在工作温度范围内，PTC热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：R(T)=R(T0)*exp(Bp(T-T0))式中R(T)、R(T0)表示温度为T、T0时电阻值，Bp为该种材料的材料常数。PTC效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生***变化。**近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，青海聚合物正温度系数热敏电阻失效，这是体型小且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，青海聚合物正温度系数热敏电阻失效，青海聚合物正温度系数热敏电阻失效，从而电阻增加。PTC热敏电阻于1950年出现，随后1954年出现了以钛酸钡为主要材料的PTC热敏电阻。青海聚合物正温度系数热敏电阻失效

这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的电阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内，负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃，正电阻温度系数材料a可高达-60*10-2/℃以上。如饮酸钡陶瓷就是一种理想的正电阻温度系数的半导体材料。上述两种材料均***用于温度测量、温度控制、温度补瞬、开关电路、过载保护以及时间延迟等方面，如分别用子制作热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻延迟继电错等。这类材料由于电阻和流度呈指数关系，因此测温范围狭窄、均匀性也差。福建测温热敏电阻封装封装在NTC热敏电阻内部的陶瓷芯片是该类电子元器件的**。

NTC热敏电阻工作原理,负温度系数热敏电阻器是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在100~1000000欧姆，温度系数-2[%]~-6.5[%]。额定室温电阻取决于基本材料的电阻率，大小和几何形状，以及电极的接触面积。厚而窄的热敏电阻具有相对高的电阻，而形状是薄而宽的则具有较低电阻。实际尺寸也十分灵活，它们可小至.010英寸或很小的直径。比较大尺寸几乎没有限制，但通常适用半英寸以下。

热敏电阻的主要特点是：①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化；②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前比较高可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～-55℃；③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；④使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强。负温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而减小，它们同属于半导体器件。

额定功率Pn在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许消耗的功率。在此功率下，电阻体自身温度不超过其最高工作温度。最高工作温度Tmax在规定的技术条件下，热敏电阻器能长期连续工作所允许的最高温度。即:T0-环境温度。测量功率Pm热敏电阻在规定的环境温度下，阻体受测量电流加热引起的阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计时所消耗的功率。一般要求阻值变化大于0.1%，则这时的测量功率Pm为：电阻温度特性NTC热敏电阻的温度特性可用下式近似表示：式中：RT：温度T时零功率电阻值。A：与热敏电阻器材料物理特性及几何尺寸有关的系数。B：B值。T：温度（k）。正温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而增大。青海聚合物正温度系数热敏电阻失效

负温度系数（NTC）热敏电阻***用于各种电子元件中，如温度传感器、可复式保险丝及自动调节的加热器等。青海聚合物正温度系数热敏电阻失效

功率型NTC热敏电阻多用于电源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC热敏电阻器，是一种大功率的圆片式热敏电阻器，常用于有电容器、加热器和马达启动的电子电路中。在电路电源接通瞬间，电路中会产生比正常工作时高出许多倍的浪涌电流，而NTC热敏电阻器的初始阻值较大，可以抑制电路中过大的电流，从而保护其电源电路及负载。当电路进入正常工作状态时，热敏电阻器由于通过电流而引起阻体温度上升，NTC电阻值下降至很小，不会影响电路的正常工作。青海聚合物正温度系数热敏电阻失效

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