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深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环 客户至上 深圳市鑫鼎精密陶瓷供应

信息介绍 / Information introduction

    氮化硅陶瓷是硬度非常高的一种材料,在高温的状态下有着非常良好的抗氧化性能。且在空气中急剧加热之后再进行急剧冷却也不会碎裂。也正是因为氮化硅陶瓷拥有如此良好的特性,深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环,使得其被广大用于制造轴承、密封环等性能要求较高的机械构件。 

    氮化硅陶瓷作为一种良好的工程材料,在高温下的稳定性非常好,可以加热到一千两百摄氏度而不产生性能下降,加热到一千九百摄氏度才会出现分解,深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环。且能够抗住大部分酸碱溶液的腐蚀,特别是在无机酸中,几乎不会产生任何腐蚀现象,深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环。

    目前,在机械领域中的密封环、高温轴承等多会用氮化硅陶瓷来制造;在冶金行业里面,坩埚和燃烧嘴也会采用氮化硅陶瓷来制造;而且在航空领域的发动机中也有氮化硅陶瓷的身影出现。 找技术支持、实力厂家的氮化硅零件厂家--鑫鼎陶瓷。深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环

    相信随着氮化硅陶瓷粉末生产、成型、烧结及加工技术的改进,其性能和可靠性将不断提高,氮化硅陶瓷将获得更加***的应用。由于氮化硅陶瓷 原料纯度的提高,氮化硅陶瓷粉末的成型技术和烧结技术的迅速发展,以及应用领域的不断扩大,氮化硅陶瓷 正在作为工程结构陶瓷,在工业中占据越来越重要的地位。氮化硅陶瓷具有优异的综合性能和丰富的资源,是一种理想的高温结构材料,具有广阔的应用领域和市场,世界各国都在竞相研究和开发。陶瓷材料具有一般金属材料难以比拟的耐磨、耐蚀、耐高温、抗氧化性、抗热冲击及低比重等特点。可以承受金属或高分子材料难以胜任的严酷工作环境,具有很大的应用前景。成为继金属材料、高分子材料之后支撑21世纪支柱产业的关键基础材料,并成为活跃的研究领域之一,当今世界各国都十分重视它的研究与发展,作为高温结构陶瓷家族中重要成员之一的Si3N4 陶瓷,较其它高温结构陶瓷如氧化物陶瓷、碳化物陶瓷等具有更为优异的机械性能、热学性能及化学稳定性. 因而被认为是高温结构陶瓷中有应用潜力的材料之一。深圳抗氧化氮化硅陶瓷棒定制多孔氮化硅陶瓷圆盘。

      氮化硅陶瓷,是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高,尤其是热压氮化硅,是世界上坚硬的物质之一。具有低密度、耐高温等性质。Si3N4陶瓷是一种共价键化合物,基本结构单元为[SiN4]四面体,硅原子位于四面体的中心,在其周围有四个氮原子,分别位于四面体的四个顶点,然后以每三个四面体共用一个原子的形式,在三维空间形成连续而又坚固的网络结构

     Si3N4陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料,能发挥优势的是其在高温领域中的应用。Si3N4今后的发展方向是:⑴充分发挥和利用Si3N4本身所具有的优异特性;⑵在Si3N4粉末烧结时,开发一些新的助熔剂,研究和控制现有助熔剂的比较好成分;⑶改善制粉、成型和烧结工艺;⑷研制Si3N4与SiC等材料的复合化,以便制取更多的高性能复合材料。Si3N4陶瓷等在汽车发动机上的应用,为新型高温结构材料的发展开创了新局面。中国是具有悠久历史的文明古国,曾在陶瓷发展史上做出过辉煌的业绩,它极耐高温,强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降,受热后不会熔成融体,一直到1900℃才会分解,并有惊人的耐化学腐蚀性能,能耐几乎所有的无机酸和30%以下的烧碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀;同时又是一种高性能电绝缘材料。

   氮化硅陶瓷结构中,在β-Si3N4的一个晶胞内有6个Si原子,8个N原子。其中3个Si原子和4个N原子在一个平面上,另外3个Si原子和4个N原子在高一层平面上第3层与第1层相对应,相对β-Si3N4而言,α-Si3N4晶胞参数变化不大,但在C轴方向约扩大一倍,其中还含有3%的氧原子以及许多硅空位,因此体系的稳定性较差。氮化硅陶瓷材料中总是不可避免地存在着或大或小数量不等的微气孔和微裂纹,热震条件下出现的裂纹核未必会立即导致材料的破坏在多数情况下,我们考虑的是材料抵抗裂纹扩展的能力,即用断裂力学观点来评价陶瓷材料的抗热震性。高质量氮化硅陶瓷零件厂家--鑫鼎陶瓷。

     氮化硅陶瓷在机械行业的应用-----随著工业技术的快速发展,对轴承的性能要求越来越高,轴承结构小型化、尺寸精密化、速度高速化、温度高温化等,以及对高真空、耐腐蚀等苛刻条件的满足也越来越迫切,常用钢结构陶瓷轴承已不能满足实际需要,目前,高速轴承普遍存在因轴承钢球产生不同程度疲劳破坏等问题,为提高轴承性能,延长轴承的疲劳寿命,国内外均采用氮化硅结构陶瓷制造球体或其他轴承部件,有利提高了高速轴承的使用性能和寿命找实力厂家可加工氮化硅陶瓷零件--推荐鑫鼎。深圳抗氧化氮化硅陶瓷棒

氮化硅陶瓷的性能有哪些呢?深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环

   氮化硅陶瓷的常压烧结法( PLS)在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4 分解温度升高(通常在N2 = 1atm气压下,从1800℃开始分解)的性质,在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后,再在1800———2000℃温度范围内常压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化,从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。

       氮化硅陶瓷的气压烧结法(GPS)人们对气压烧结进行了大量的研究,获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ~10MPa气压下,2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结,在添加较少烧结助剂情况下,也足以促进Si3N4晶粒生长,而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、强度高和好的耐磨性,可直接制取接近形状的各种复杂形状制品,从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺,适用于大规模生产。 深圳硬度高隔热氮化硅陶瓷环

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