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超大功率瞬态抑制二极管应用 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

实际产品中,**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看Spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出,一个TVS所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),超大功率瞬态抑制二极管应用,也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源,超大功率瞬态抑制二极管应用,超大功率瞬态抑制二极管应用、汽车、电子镇流 器、家用电器。超大功率瞬态抑制二极管应用

上海来明电子有限公司成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案,包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等,致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道,为客户提供***增值服务,持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系,可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来,我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值,以不断创新和服务价值输出,成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。超大功率瞬态抑制二极管应用TVS 器件可以按极性分为单极性和双极性两种。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR来说,VWM=0.81VBR。

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数)。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。超大功率瞬态抑制二极管应用

TVS的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN 结雪崩器件。超大功率瞬态抑制二极管应用

对于接口电路来说,为了保护我们的内部电路,都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS,而TVS是由二极管构成的,是二极管就会有结电容,结电容的大小会对信号造成一定的影响,特别是高速信号,而这里给出了建议的结电容大小,以使对信号的影响尽可能的降低,保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议:GPIO接口结电容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天线<0.2pF。超大功率瞬态抑制二极管应用

上海来明电子有限公司位于灵山路1000弄2号808。公司自成立以来,以质量为发展,让匠心弥散在每个细节,公司旗下TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容深受客户的喜爱。公司秉持诚信为本的经营理念,在电子元器件深耕多年,以技术为先导,以自主产品为重点,发挥人才优势,打造电子元器件良好品牌。在社会各界的鼎力支持下,持续创新,不断铸造高质量服务体验,为客户成功提供坚实有力的支持。

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