高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn结表面，甘肃1000W瞬态抑制二极管参数。这是因为，在高温条件工作下，表面可动离子的数量**增加[5]，表面电流也随之增大，表面功率密度和温度比体内高，使pn结边缘结温超过200℃，边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中，在承受相同功率时，高击穿电压TVS芯片温升更高，甘肃1000W瞬态抑制二极管参数。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，甘肃1000W瞬态抑制二极管参数，皮秒级的速度变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率。甘肃1000W瞬态抑制二极管参数

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。甘肃1000W瞬态抑制二极管参数当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。

长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验，发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效，失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后，在扫描电镜下观察芯片，发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化，且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化，使管芯与底座热沉逐渐分离，结边缘的散热能力降低，长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。

对于做汽车电子硬件设计的工程师来说，ISO7627-2这个标准是***不会陌生，这个测试项目就是电源线瞬态传导抗扰度，只因为电源线瞬态传导抗扰度的这几个测试波形太出名了，分别是波形1，2a，2b，3a，3b，4，5a，5b（如下截图是从ISO7637-22004版中截取的，在2011版的ISO7637中波形1和2a这两个的测试脉冲数已经改成500了）。对于从1到4的几个波形，基本上都是一些时间极短的脉冲，虽然正负电压的幅值很高，但是能量很小，基本上电路上不用做太多特殊的防护，单靠一般的电源芯片的电气特性就能防护下来，而对5a，5b波形，就需要做专门的应对了，而应对方法就是增加一个防浪涌的TVS管了。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。

选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。广西3000W瞬态抑制二极管分析

DO-15封装的TVS一般有SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列。甘肃1000W瞬态抑制二极管参数

常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征结合器件结构，材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等，采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因，分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷，表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等，使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。甘肃1000W瞬态抑制二极管参数

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