1、将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V,陕西超大功率瞬态抑制二极管分析、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。3,陕西超大功率瞬态抑制二极管分析、将TVS二极管放置在信号线及接地间,陕西超大功率瞬态抑制二极管分析,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。陕西超大功率瞬态抑制二极管分析
长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验,发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。陕西超大功率瞬态抑制二极管分析DO-201封装的TVS有1.5KE系列(5000W)、LCE系列。
220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器,此高压直流变化范围是240V~360V,而由于变压器漏感和引线电感的存在,关断过电压可以高达几千伏,功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS,这样将关断过电压控制在300V以内,加上电源电压,功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时,由于开关变压器线圈漏感的存在,会产生极高的反电势,有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后,可以有效地吸收电压尖峰,保护功率开关管的安全,降低对功率开关管耐压的要求。
PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通,PN结加正向电压时导通,(1)PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。瞬态电压抑制二极管简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。
反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。TVS发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS我们极力减少或避免的情况。陕西超大功率瞬态抑制二极管分析
做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小。陕西超大功率瞬态抑制二极管分析
实际产品中,**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看Spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出,一个TVS所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。陕西超大功率瞬态抑制二极管分析
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