靶材清洁的目的及方法：靶材清洁的目的是去除靶材表面可能存在的灰尘或污垢。金属靶材可以通过四步清洁：第一步用浸泡过的无绒软布清洁；第二步与第一步类似用酒精清洁；第三步用去离子水清洗。在用去离子水清洗过后再将靶材放置在烘箱中以100摄氏度烘干30分钟，吉林功能性陶瓷靶材。氧化物及陶瓷靶材的清洗建议用“无绒布”进行清洁。第四步用高压低水气的氩气冲洗靶材，以除去所有可能在溅射系统中会造成起弧的杂质微粒。

我们建议用户将靶材无论是金属或陶瓷类保存在真空包装中，吉林功能性陶瓷靶材，吉林功能性陶瓷靶材，尤其是贴合靶材更需要保存在真空条件下，以避免贴合层氧化影响贴合质量。 AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。吉林功能性陶瓷靶材

如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。1.成型方法:为了减少陶瓷靶材的气孔，提高薄膜性能，要求溅射陶瓷靶材具有高密度、低气孔率、高密度意味着陶瓷体内晶粒排列紧密，在承受外界载荷或腐蚀性物质侵蚀的时候不易形成破坏性的突破点。而要得到钙质密度的陶瓷胚体，成型方法是关键。陶瓷靶材的成型一般采用干压、等静压、热压铸等方法。不同的方法具有不同的特点。2.原料粒度:原料粉粒度对陶瓷靶材形成的薄膜质量有很大的影响，只有原料足够细，烧制成品才有可能形成微结构，使他具有很好的耐磨性。粉料颗粒越细，活性也越大，可促进烧结，制成的瓷强度也越高，小颗粒还可以分散由于刚玉和玻璃相线膨胀系数不同在晶界处造成的应力集中，减少开裂的危险性，细的晶粒还能妨碍微裂纹的发展，不易在成穿晶断裂，有利于提高断裂韧性，还可以提高耐磨性。3.烧结:陶瓷的烧结，简单的讲就是陶瓷生坯在高温下的致密化过程。随着温度的上升和时间的延长，粉末颗粒之间发生粘结，烧结体的强度增加，把粉末颗粒的聚集体变为坚强的具有某种显微结构的多晶烧结体，并获得所需的物理，机械性能的制品或材料。样品的致密化速率、结构往往也反应了它经历过什么样的热处理过程。 江苏陶瓷靶材靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。

透明导电薄膜的种类很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比较好，ITO具有高透光率，低电阻率。目前 ITO 的制备方法主要是磁控溅射，要获得高质量的 ITO薄膜，制备高密度、高纯度和高均匀性的 ITO 靶材是关键。高质量的成品 ITO 溅射靶应具有99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射 ITO 导电膜。目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中采用冷等静压-烧结法，其相对密度能达到 99%以上，烧结温度高，保温时间长，制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。SPS技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。

ITO溅射靶材的发展趋势！

溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材。 溅射靶材有金属，合金，陶瓷化合物等。陶瓷靶材按化学组成,分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。吉林光伏行业陶瓷靶材生产企业

靶材安装注意事项靶材安装过程中非常重要的是一定要确保在靶材和溅射腔体冷却壁之间建立很好的导热连接。吉林功能性陶瓷靶材

靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极，晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。太阳能电池主要包括晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，晶体硅太阳能电池转化效率较高、性能稳定，且各个产业环节比较成熟，占据了太阳能电池市场的主导地位。而晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域。靶材溅射镀膜形成的太阳能薄膜电池的背电级主要有三个用途：一，它是各单体电池的负极；二，它是各自电池串联的导电通道；三，它可以增加太阳能电池对光的反射。太阳能薄膜电池用溅射靶材主要为方形板状，对纯度要求没有半导体芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。其中铝靶、铜靶用于导电层薄膜，钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。吉林功能性陶瓷靶材

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