压敏电阻是大家都会经常用的一款电阻器，那么对于压敏电阻发展历史你们有所了解吗？为此小编跟大家科普一下这方面的知识。一起进入本文的主题吧！1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，浙江压敏电阻MOV雷击保护，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3，浙江压敏电阻MOV雷击保护、tiO等)压敏电阻器也得到发展，浙江压敏电阻MOV雷击保护。目前压敏电阻在各类电源设备被使用。 压敏电阻很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中应用。浙江压敏电阻MOV雷击保护

压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。浙江压敏电阻MOV雷击保护压敏电阻器两端的直流或交流电压在应用时应低于标称电压。

国内压敏电阻应用研究进展：20世纪80年代中期，通过引进技术，我国的ZnO压敏电阻片制造水平得到迅速提高，电位梯度达约18kV/cm，能量吸收能力提高到约100J/cm3(比较高150J/cm。这是我国ZnO压敏电阻片制造水平迅速提高的阶段。随着ZnO压敏电阻片研究的不断深入，逐步将电位梯度提高到近年来的，能量吸收能力也有所提高，逐步满足了500kVMOA的需求，一定程度上满足了GIS-MOA小型化发展的阶段需要。电阻片的残压水平逐步降低，泄漏电流特别是阻性泄漏电流逐步减小，老化荷电率提高，老化特性变好(老化系数KCT接近1，甚至小于1)。由于能量吸收能力提高不多，电阻片规格却越做越大，促进了避雷器心体向单柱式发展。

全系列贴片压敏电阻，在大尺寸贴片压敏电阻研发上更具技术优势，产品特点：1)矩形，无外包封，适用于混合集成电路或印制线路的外贴元件。2)无引线，尺寸规格系列化，1005[0402]、1608[0603]、2012[0805]、3216[1206]、3225（1210）、4532（1812）、5650（2220）等3)操作温度范围：－55℃～＋125℃4）工作电压范围v1ma(dc)＝3.3～68v5）具有双向限制特性6）适合esd保护7）漏电流非常小8）寄生电感小、响应速度快（响应时间<0.5ns）9）优良的温度系数10）良好的焊接性能。14D压敏电阻脚间距一般为7.5mm。

压敏电阻比较大限制电压(CLAMPINGVOLTAGE(MAX.))：比较大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的比较大限制电压Vc相当大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A时。）压敏电阻的比较大限制电压与流过压敏电阻的瞬时电流有关，电流越大，限制电压也越大。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围。浙江压敏电阻MOV雷击保护

压敏电阻可通过串联的方式来提供工作电压。浙江压敏电阻MOV雷击保护

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。浙江压敏电阻MOV雷击保护

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