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陕西1000W瞬态抑制二极管选型 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分较多,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交,陕西1000W瞬态抑制二极管选型、直流电源;电机,陕西1000W瞬态抑制二极管选型,陕西1000W瞬态抑制二极管选型、继电器噪声的抑制等各个领域。它可以有效地对雷电、负载开关等人为操作错误引起的过电压冲击起保护作用,下面是几个TVS在电路应用中的典型例子。TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。陕西1000W瞬态抑制二极管选型

干扰脉冲过去后,TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时,其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压,因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化,钳位电压低,因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。湖北30000W瞬态抑制二极管原理当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。

单向TVS的V-I特性,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性,具有双向对称性,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。。

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通,PN结加正向电压时导通,(1)PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。台面缺陷损伤的TVS 器件经过温度循环和冲击等筛选试验后,电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常。

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。TVS 的比较大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。SMB瞬态抑制二极管测试

将TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲。陕西1000W瞬态抑制二极管选型

引发TVS短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良,在烧结界面出现大面积空洞,空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良,造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时,电流在烧结点附近汇聚,管芯散热困难,造成热电应力集中,产生局部热点,严重时引起热奔,使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析,可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时,可加速焊料热疲劳,使焊料层会产生疲劳龟裂,引起器件热阻增大,**终导致器件。过热烧毁。陕西1000W瞬态抑制二极管选型

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