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四川VGA接口ESD保护元件封装 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

高频接口ESD防护电路的综合设计法根据高频电路的信号特征和ESD防护要求灵活选用各种防护器件、以及各种防护电路的组合形成防护效果好且高频性能好的ESD防护电路。如TVS、开关二极管、R/L/C等元件以及二极管串并联、匹配设计、滤波、隔离、衰减等措施可以同时使用在同一防护电路中,通过灵活的选择搭配,并有效利用高频电路的匹配手段设计***的防护电路,四川VGA接口ESD保护元件封装。如图4,电感!和TVS并联在输入端具有较好的ESD防护效果,四川VGA接口ESD保护元件封装,四川VGA接口ESD保护元件封装,其并联谐振的高阻特性改善了端口的驻波性能,隔离电容和电阻衰减器也能起到ESD防护和改善驻波的作用。静电源包装,出ESD防护区的器件必须使用防静电包装,以防外界静电源的影响。四川VGA接口ESD保护元件封装

防护管一般和被保护电路并联。防护管的串联寄生电感会阻止ESD脉冲泻放到地,降低ESD防护能力。防护管的结电容产生的容抗和被保护电路I/0端口的特征阻抗并联,当防护管的结电容较大时,在高频下的容抗较小,会严重改变接口的的阻抗特性和频谱特性。防护器件的结电容是影响信号质量的主要因素,在高频接口要求防护器件的结电容要尽量小。现在各种电浪涌防护管的结电容要做到很小(小于2pF)还有较大难度,因此现有的防护器件直接用于GHz和Gbps以上的高频接口的ESD防护将对信号质量产生不可容忍的影响。防护器件要具有双极性(双向)防护功能,其响应时间小于ns级时,对ESD脉冲才具有较好的防护效果,响应速度越快其防护效果越好。防护管的箱位电压(或导通电压)低于高频信号峰值电平时也会对高频信号产生限幅效应,箝位电压过高则ESD防护效果差,这增加了较高峰值能量的高频接口的ESD防护电路设计的难度。四川VGA接口ESD保护元件封装防静电的四项基本原则一:等电位连接,与敏感器件接触的导体实现等电位连接,避免因导全带静电发生放电。

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量,使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中,防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配,防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时,直接采用TVS和开关二极管作ESD防护,其结电容很难满足线路信号质量的要求,此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。

提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时,防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题,此时可以采用以下优化设计方法,提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压,使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联,导通电压提高n倍;两只二极管反向串联,导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后,高频信号通过二极管对电容充电,电容充电后对二极管提供偏压,提升二极管的正向导通电乐。IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。

现行的 IEC61000—4—2标准规定 的测试方法和实验平 台仍存在一定局限性,需进一步研究 和改进 。ESD协 会 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等标准化 国际组织都在努力提高静电放 电抗扰度测试 的一致性,对现有标准展 开***的讨论和完善 。但是我国相关领域 的工作开展不多。现行的 ESD抗扰度实验标准是沿用原 IEC标准,对标准的制定和修改工作没有与国际接轨 ,从而在 ESD抗扰度测试方面仍然落后于西方发达国家。我过也在积极的开展研究静电放电测试方面的相关标准,成立了各项标准委员会。ESD静电保护元件的浪涌防护等级可用IPP这个参数来表示。四川VGA接口ESD保护元件封装

高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感。四川VGA接口ESD保护元件封装

MOV具有ns级的快速响应,但是结电容一般在数十pF以上;GDT具有pF级以下的结电容,但是响应时间在数百ns以上;TSS的响应速度很快,可达ps级,其结电容一般也在数十pF以上;TVS的响应速度很快,可达ps级,其结电容目前比较低可以做到儿个pF;快速开关二极管的响应速度与TVS相同,其结电容可达到1pF以下。可见,MOV、GDT和TSS都不能用于高频电路的ESD防护;TVS可以直接使用在数百MHz的信号接口进行ESD防护,当用于GHz以上的信号接口必须采用降低结电容的措施:低容值的快速开关二极管可以直接或采用降低结电容的优化措施后用于数GHz的信号接口。四川VGA接口ESD保护元件封装

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