与非隔离变流器不同，隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模（CM）EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容，CM电流也从初级流向次级，导致测量的CM EMI增加。按照惯例，您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。

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TI稳压IC的EMI如 下页的图2显示了传导发射的通用测试设置，包括电源、线路阻抗稳定网络（LISN）、EMI接收器、电源线和被测设备（DUT）。LISN起着关键作用，充当低通滤波器，确保重复性和

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