功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，UC2526ADWG4稳压IC，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，UC2526ADWG4稳压IC，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，UC2526ADWG4稳压IC，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
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电力趋势-稳压IC技术发展趋势
我们一直在努力突破功耗的极限：开发新的工艺、封装和电路设计技术，为您的应用提供比较好的设备。无论您需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是在高压下保持安全，我们都致力于与您携手合作，帮助解决您的电源管理难题。德州仪器：您进一步推动电力发展的合作伙伴。
1、功率密度
提高功率密度，在较小的空间内实现更大的功率，以降低系统成本增强系统功能。
2、智商低
降低静态电流以延长电池和保质期，同时不影响系统性能。
3、低电磁干扰
将干扰降至比较低，以降低系统成本并快速满足EMI标准。
4、低噪音、高精度
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和准确性。
5、隔离
通过高压隔离栅传输信号和/或电源，以比较高的工作电压和可靠性提高安全性。
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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法2-稳压IC技术专题
另一种缓解EMI的传统方法是使用扩频（或时钟抖动）来调制开关电源的开关频率，这将减少与基本开关频率及其谐波相关的频谱峰值，但以增加噪声地板为代价，如图5所示。
扩频技术是一种很有吸引力的技术，因为它易于实现，而且您可以将其与其他EMI降低方法结合使用。然而，它并不是***的，因为它只能相对减少现有的电磁干扰，而且本质上，它的性能随着开关频率的降低而降低。此外，您传统上只能将扩频应用于单个频带，原因我们将在下一节中探讨。
包裹散热-稳压IC知识
•热棒™ 包装材料
•增强型热棒QFN，支持热垫
HotRodTM封装消除了键合线，同时保持了优异的热性能。
支持小型无源器件的拓扑和电路
•多电平变流器拓扑
•高级功率级门驱动器
多级拓扑结构可实现更小的磁性。
集成比较大限度地减少寄生并减少系统占用F
•MicroSiP 3D模块集成
•具有低回路电感的GaN和驱动器多芯片模块（MCM）
GaN+栅驱动器MCM可减少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP软件包。
Tech-Trekt提供全系列TI稳压IC。
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为减少电源中的电磁干扰而进行的省时、经济高效的创新-IT稳压IC关键技术
随着电子系统变得越来越密集和互连，减少电磁干扰（EMI）的影响成为越来越重要的系统设计考虑因素。
1、什么是EMI？
电磁干扰（EMI）是一种电磁能量，是开关电流和电压产生的不良副产品，它来自各种物理现象，并在严格的电磁干扰测试中表现出来。
2、减少电磁干扰的常规方法
减少电磁干扰是一项充满权衡的努力。减少电磁干扰的传统方法包括使用大型、昂贵的滤波器或降低开关转换率，这是一种直接影响效率的技术。
3、减少电磁干扰的创新
为了实现开关电源的所有优点，降低EMI技术必须解决传统的权衡问题。这需要针对低频和高频EMI的创造性解决方案，以及精确的建模技术。
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增强型热棒™ QFN公司
增强型HotRod quad flat no lead（QFN）封装提供了HotRod封装的所有EMI降低功能，并具有更低开关节点电容的额外优势，从而大降低了振铃。在具有增强型热棒QFN的设备中，寄生在输入电压（VIN）和接地（GND）引脚上的电阻-导体-电容器（RLC）也较低
与HotRod软件包相比。
LM60440-Q1降压转换器采用增强型热棒QFN，下页图18显示了引脚和电路板布局。增强型HotRod QFN不仅提高了效率，还包括封装中心有一个大型模具连接垫（DAP）的封装外形。与热棒封装相比，DAP有助于通过PCB更好地散热，并将结温升高降低15%以上。此外，VIN、GND和开关节点引脚上较低的RLC寄生也会提高效率并降低EMI。正如预期的那样，这会产生更好的EMI，尤其是在交换机节点振铃频带周围
如下图19所示。
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