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LM5025AMTC/NOPB稳压IC 深圳市特克电子供应

信息介绍 / Information introduction

集成输入旁路电容器
如前所述,由于开关节点振铃的增加,大输入功率环路在高频段会导致更高的发射,LM5025AMTC/NOPB稳压IC。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低,从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器,LM5025AMTC/NOPB稳压IC,如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外,输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI(相同板上的相同条件),包括集成和不集成旁路电容器。结果表明,LM5025AMTC/NOPB稳压IC,在**严格的电视频段(200至230 MHz)内,发射降低了9 dB,这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下,而无需在电路板上安装其他组件。
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UCC28084稳压IC的说明

UCC38083/4/5/6稳压IC是一系列BiCMOS脉宽调制(PWM)控制器,用于直流到直流或离线固定频率电流模式开关电源。双输出级配置为推拉拓扑。两个输出都使用切换触发器以振荡器频率的一半进行切换。两个输出之间的死区时间通常为110ns,将每个输出的占空比限制在50%以下。
UCC38083稳压IC和UCC38085稳压IC设备的开启/关闭阈值为12.5 V/8.3 V,而UCC38084稳压IC和UCC38086稳压IC的开启/关闭阈值为4.3 V/4.1 V。每个设备均采用8针TSSOP(PW)、8针SOIC(D)和8针PDIP(P)封装。 TPS51163DRCR稳压IC电源稳压IC,就选特克集团,专业专注!专业产品顾问为您服务!

取消绕组-TI稳压IC技术专题

与非隔离变流器不同,隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模(CM)EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容,CM电流也从初级流向次级,导致测量的CM EMI增加。按照惯例,您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。

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TI稳压IC的EMI不再是事后诸葛亮,因为它有可能在设计阶段后期造成重大挫折,这将耗费时间和金钱。
开关电源(SMPS)是现代技术中**普遍的电路之一,在大多数应用中,它比线性稳压器的效率有了极大的提高。
但这种效率是有代价的,因为开关电源中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关使其
是电磁干扰的主要来源,而电磁干扰反过来又会影响可靠性。EMI主要来自不连续的输入电流、开关节点上的快速转换率、,
以及功率环路中寄生电感引起的沿开关边缘的附加振铃。
下页的图1说明了这些元素中的每一个如何使用buck转换器拓扑在不同的频带中表现出来。
例如。随着压力的增加,增加开关频率以减小尺寸和成本,并增加转换率以提高
效率、电磁干扰问题加剧。因此,有必要结合具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术不要影响电源设计。

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低静态电流(IQ)-稳压IC趋势知识
在不影响电池操作系统的系统性能的情况下延长电池和保质期,在空载或轻载条件下实现高效率需要电源解决方案在保持**电源电流的同时严格调节输出。
凭借TI的**智商技术和产品组合,您可以比较大限度地延长电池运行时间,并在下一次设计中实现低功耗。
低待机功率
•使用**泄漏组件和新型控制拓扑延长电池运行时间
快速响应时间
•通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能,以提高动态响应时间,同时保持**静态功耗
小外形尺寸
•应用程序支持模具和封装尺寸,无需通过TI的**电路技术,降低静态功耗。
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具有TILDO的处理器-稳压IC

在FPGA和处理器中,开关噪声会威胁性能。TI的稳压IC-LDO为当今的处理器和FPGA提供干净、准确和高效的电源。高PSRRLDO消除纹波,提供高输出精度(比较大1%),并提供250mV及以下的低压差。它们还具有***的电压范围和小型、坚固的封装,适用于许多应用。使用高性能AEC-Q100LDO增强您的汽车电源稳压ICTI的AEC-Q100LDO通过低IQ、低噪音、高PSRR、反向电池和电流保护等功能优化您的汽车应用,以提供可靠、清洁的电源。 LM5025AMTC/NOPB稳压IC

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