功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，LM5117PMH/NOPB稳压IC，LM5117PMH/NOPB稳压IC，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管，LM5117PMH/NOPB稳压IC。
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图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。
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图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。
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扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。
带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。
数据表SMPS设备评估模块中公布的传导和辐射EMI结果根据**严格的工业和汽车EMI标准进行测试，数据表中公布的结果有助于您提前了解设备的EMI性能。您可以通过单击设备数据表第一页上的“针对**EMI要求进行了优化”来访问详细的EMI报告。LM62440-Q1数据表中的EMI报告包括CISPR 25 5级传导和辐射设置的完整数据。
此外，TI可以在内部执行系统级EMI建模和测量，以帮助您验证EMI性能并加快循环时间。
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为了**小化滤波电感的尺寸，您可以为SMPS设计选择更高的开关频率。然而，切换器操作时应避免使用敏感频段。
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例如，传统上，汽车电源解决方案的优先开关频率为亚AM频段（约400 kHz）。
选择更高的开关频率以**小化电感器尺寸意味着您必须避免整个AM频段（525至1705 kHz），以便在更严格的汽车EMI频段中没有基本开关杂散。
德州仪器（TI）的开关转换器的开关频率高于1.8 MHz，以满足EMI频段的要求。向更高开关频率的推进对开关转换上升和下降时间施加了严格限制，以减少开关损耗。然而，如图6所示，上升和下降时间很短的开关节点即使在接近其100次谐波的高频下也能保持较高的能量含量，这再次突出了高效率和低EMI之间的权衡。
真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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什么是TI稳压IC的EMI， 续。。。
TI稳压IC的EMI如 下页的图2显示了传导发射的通用测试设置，包括电源、线路阻抗稳定网络（LISN）、EMI接收器、电源线和被测设备（DUT）。LISN起着关键作用，充当低通滤波器，确保重复性和
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EMI测量的可比性，并为DUT提供精确的阻抗。图2还说明了一个重要的细分
发射到共模（CM）和差模（DM）电流。DM电流在电源线及其回路之间流动，在低频率下是主导因素。
CM电流在每条电源线和地面之间流动，是高频下的主导因素。
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