稳压IC-电源发展趋势

查看TI的以下特色产品，了解一些可改善EMI性能的全新***直流/直流转换开关，TPS40075RHLTG4稳压IC。低静态电流(IQ)具有**静态电流的直流/直流开关稳压器可提高轻负载效率，并延长便携式和电池供电型应用的电池寿命。在我们的以下转换开关产品系列中查找具有**IQ的器件。低噪声和高精度典型的开关稳压器需要使用后置稳压器LDO来为高分辨率ADC和AFE供电。但凭借业界***的噪声和纹波性能，TPS62912和TPS62913可让您在大多数应用中移除该低噪声LDO，从而在提高系统效率的同时减少PCB面积并降低总体成本，TPS40075RHLTG4稳压IC。 电源稳压IC，TPS40075RHLTG4稳压IC，就选特克集团，原厂现货！欢迎新老客户来旬！TPS40075RHLTG4稳压IC

TI的大型非**投资组合-稳压IC:

直流/直流负载点解决方案解决了规模、效率、性能或成本问题约束条件。我们的解决方案范围从分立器件到集成电源解决方案，集成电路封装中包含磁性。由于工作电压高达100V，TI的宽VIN产品组合消除了输入保护组件，以降低成本和解决方案尺寸。降压式DC/DC转换器-集成MOSFET技术-稳压IC在过去几年中达到了较高的密度，以在较小的封装中提供更高的效率。

TI的DC/DC转换器提供了许多高达30A的引人注目的解决方案。 LM5117PMH/NOPB稳压IC特克电子十年IC代理，经营德州仪器稳压IC，专业产品顾问为您服务！

与非隔离变流器不同，隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模（CM）EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容，CM电流也从初级流向次级，导致测量的CM EMI增加。按照惯例，您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。

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功率MOSFET概述：

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 特克集团，专业经营电源稳压IC，专业产品顾问为您服务！期待您的光临！

稳压IC-开放式机架PTH08T2xx“T2”电源模块高电流模块，

用于需要高达50A的应用。

•高达50A的高输出电流

•涡轮变速器™可调瞬态响应特性

•均流（50-A版本）

稳压IC-QFN电源模块易于使用的高功率密度模块，

适用于占地面积小的应用。

•输入电压范围：2.95至60V

•输出电流高达30A

•功能丰富灵活

•只需要三个外部组件

稳压IC-带导线的SIMPLESWITCHER®模块易于使用的模块，

适用于需要高达42V输入电压的应用。

•单个外露底部

•支持5-V、12-V和24-V导轨

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