增强型热棒™ QFN公司
增强型HotRod quad flat no lead（QFN）封装提供了HotRod封装的所有EMI降低功能，并具有更低开关节点电容的额外优势，从而大降低了振铃。在具有增强型热棒QFN的设备中，寄生在输入电压（VIN）和接地（GND）引脚上的电阻-导体-电容器（RLC）也较低
与HotRod软件包相比。
LM60440-Q1降压转换器采用增强型热棒QFN，UCC2801DTRG4稳压IC，下页图18显示了引脚和电路板布局。增强型HotRod QFN不仅提高了效率，还包括封装中心有一个大型模具连接垫（DAP）的封装外形。与热棒封装相比，DAP有助于通过PCB更好地散热，并将结温升高降低15%以上。此外，VIN、GND和开关节点引脚上较低的RLC寄生也会提高效率并降低EMI。正如预期的那样，这会产生更好的EMI，尤其是在交换机节点振铃频带周围
如下图19所示，UCC2801DTRG4稳压IC。
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5.线性调节器（LDO）-稳压IC概述和选择指南-
稳压IC概述稳压IC低压差线性稳压器（LDO）是一种简单、有效的调节由较高输入电压供电的输出电压的方法。德州仪器（TI）拥有***的LDO产品组合，其特点是小尺寸封装、低静态电流（低IQ）以扩展电池寿命长，低噪声LDO具有高电源抑制比（PSRR），低固有噪声，高输出电流和快速瞬态响应速度快，高压LDO适用于恶劣的汽车环境。
稳压IC减少解决方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，当今电子设计的复杂性和密度相当于有限的PCB空间。为了应对电子设备越来越小的趋势，稳压IC-LDO必须提供相同的性能，同时消耗尽可能少的空间。TI提供了许多LDO，可满足高性能需求和微小的解决方案规模。
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稳压IC的EMI，除了了解特定应用的适当标准外，了解如何测量EMI也很重要，因为这些知识将使您深入了解如何减少EMI。EMI测量通常分为传导和辐射，这揭示了测量方法和EMI的产生方式。虽然传导发射通常与较低频率（<30 MHz）相关，而辐射发射通常与较高频率（>30 MHz）相关，但两者之间的区别并不那么简单，因为传导和辐射频率范围确实重叠。
传导发射测量旨在量化设备产生并返回其电源的EMI。重要的是：减少许多应用中的这些排放，因为其他敏感电路通常连接到相同的电源线。在处理现代汽车中数量不断增加的长线束时，降低传导电磁干扰尤为重要。
TI的大型非**投资组合-稳压IC:
直流/直流负载点解决方案解决了规模、效率、性能或成本问题约束条件。我们的解决方案范围从分立器件到集成电源解决方案，集成电路封装中包含磁性。由于工作电压高达100V，TI的宽VIN产品组合消除了输入保护组件，以降低成本和解决方案尺寸。降压式DC/DC转换器-集成MOSFET技术-稳压IC在过去几年中达到了较高的密度，以在较小的封装中提供更高的效率。
TI的DC/DC转换器提供了许多高达30A的引人注目的解决方案。
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真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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