高压电源-稳压IC：
交流/直流和隔离直流/直流MOSFET和IGBT栅极驱动器TI的100多个门驱动器产品组合提供了业界**快的开关电源，同时满足了各种规格。优点包括在高开关频率下具有快速开启/关闭时间的稳健设计，可减少功率损耗并实现更好的系统性能。TI的门驱动器系列包括低压侧驱动器，TPS53681RSBR稳压IC、半桥驱动器和隔离驱动器。
UCC2751x和UCC2752x
•选定产品的版本
•AEC-Q100适用于部分产品
•非对称驱动和分离输出选项可在选定的单通道驱动器上使用
•前列的传播延迟和与MOSFET功率开关更高的VDD兼容性
•两个系列都具有TTL和CMOS输入阈值
UCC27531，UCC27531-Q1
•可采用D和DBV包装
•FET和IGBT单栅驱动器
•2，TPS53681RSBR稳压IC.5A和5A，35V比较大VDD
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德州仪器 稳压IC技术专题
图13显示了在400 kHz开关频率下运行的buck变换器的EMI测量结果，比较了有源和无源EMI滤波方法。为了有效满足CISPR 25 5级频谱屏蔽，无源EMI滤波器需要一个3.3μH的DM电感和一个10μF的DM电容。有源滤波方法可以通过*1μH的DM电感器以及100 nF的传感和注入电容实现相同的有效衰减。这有助于将无源滤波器的大小和体积分别减小到原始值的43%和27%。对于更大电流的转换器，可以通过降低电感直流电阻来获得成本和效率方面的进一步好处。
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TI稳压IC-火棒™ 包裹
热棒封装翻转硅芯片，并将其直接放置在引线框架上，以比较大限度地减少由运行开关电流的引脚上的键合线引起的寄生电感。图16显示了HotRod软件包的结构和优点。
随着功率回路电感的改善，热棒式封装也有助于降低功率路径中的电阻，从而提高效率，同时使较小的解决方案尺寸成为可能。
HotRod封装中设备的另一个好处是，它们有助于并行输入路径引脚，即DC/DC转换器输入电容的布局安排。通过优化DC/DC转换器的引脚，使输入电容器的布局具有对称性，输入功率回路产生的反向磁场位于对称回路内，从而将对附近系统的发射降至比较低。平行输入路径进一步将高频EMI降至比较低，尤其是在**严格的FM频段，如下图17所示。
TI稳压IC-减少高频发射的创新
到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通常会减少低频发射（<30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。
火棒™ 包裹
减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，进而减少开关节点振铃。
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真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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有源EMI滤波-TI稳压IC技术专题
为了大幅改善低频频谱中的发射，LM25149-Q1降压控制器采用了有源EMI滤波方法。集成有源EMI滤波器通过充当有效的低阻抗分流器，减少输入端的DM传导发射。图12显示了buck控制器的有源EMI滤波器如何连接到输入线。传感和注入引脚通过各自的电容器连接到输入端。有源EMI滤波器块内的有源元件放大感测信号，并通过注入电容器注入适当的反极性信号，以**小化输入线上的整体干扰。这减少了
过滤所需无源元件的负担，从而减少其尺寸、体积和成本。
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