稳压IC-电源发展趋势
查看TI的以下特色产品，了解一些可改善EMI性能的全新***直流/直流转换开关。低静态电流(IQ)具有**静态电流的直流/直流开关稳压器可提高轻负载效率，并延长便携式和电池供电型应用的电池寿命。在我们的以下转换开关产品系列中查找具有**IQ的器件。低噪声和高精度典型的开关稳压器需要使用后置稳压器LDO来为高分辨率ADC和AFE供电，UCC28C43DGKR稳压IC。但凭借业界***的噪声和纹波性能，UCC28C43DGKR稳压IC，TPS62912和TPS62913可让您在大多数应用中移除该低噪声LDO，从而在提高系统效率的同时减少PCB面积并降低总体成本。
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低静态电流（IQ）-稳压IC趋势知识
在不影响电池操作系统的系统性能的情况下延长电池和保质期，在空载或轻载条件下实现高效率需要电源解决方案在保持**电源电流的同时严格调节输出。
凭借TI的**智商技术和产品组合，您可以比较大限度地延长电池运行时间，并在下一次设计中实现低功耗。
低待机功率
•使用**泄漏组件和新型控制拓扑延长电池运行时间
快速响应时间
•通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能，以提高动态响应时间，同时保持**静态功耗
小外形尺寸
•应用程序支持模具和封装尺寸，无需通过TI的**电路技术，降低静态功耗。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
TI的大型非**投资组合-稳压IC:
直流/直流负载点解决方案解决了规模、效率、性能或成本问题约束条件。我们的解决方案范围从分立器件到集成电源解决方案，集成电路封装中包含磁性。由于工作电压高达100V，TI的宽VIN产品组合消除了输入保护组件，以降低成本和解决方案尺寸。降压式DC/DC转换器-集成MOSFET技术-稳压IC在过去几年中达到了较高的密度，以在较小的封装中提供更高的效率。
TI的DC/DC转换器提供了许多高达30A的引人注目的解决方案。
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EMI建模能力
对任何电路进行建模都是早期评估设计性能的重要方法，因此在缩短设计周期方面起着关键作用。
EMI建模是一个复杂的过程，涉及PCB的时域电路分析和频域电磁仿真。
通过减少设计迭代次数，对EMI发射进行建模可以更快速地满足EMI标准限制。
让我们回顾一下可用于建模EMI的一些选项。
使用WEBENCH®设计工具进行低频EMI设计
WEBENCH输入滤波器设计工具可帮助您自动设计适当的输入滤波器，以减轻符合CISPR 32和CISPR 25等标准的低频（<30 MHz）传导EMI噪声。该工具优化过滤器大小，同时确保设计符合特定标准。在设计滤波器时，保证了滤波器的稳定性和变换器回路的稳定性。此在线工具支持100多个TI power设备。
让输入EMI滤波器电感器保持无阻尼状态是一个常见的错误，这会对总体设计稳定性产生负面影响。WEBENCH设计工具对输入滤波器和开关电源进行阻抗分析（如下图23所示），并建议适当的阻尼组件以确保稳定性。
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取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸，针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示，改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层（如黑色所示），用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口，并有助于产生抵消CM电压，使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流，使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应（流入二次层的CM电流接近于零）减少了CM发射，明显帮助设计满足EMI频谱标准，且CM滤波很好小。
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