国际电工委员会(Internationa1日ectrotechnicalCommission，青海HDMI接口ESD保护元件选型，IEC)制定了测试标准IEC61000-4-2来评价电子设备的ESD抗扰度等级。但人们在研究静电放电的危害时，主要关心的是静电放电产生的注入电流对电火工品、电子器件，青海HDMI接口ESD保护元件选型、电子设备及其他一些静电敏感系统的危害，忽视了静电放电的电磁脉冲效应，直到20世纪90年代初Wilson才***提出ESD过程中产生的辐射场影响。IEC61000-4-2标准虽几经修改，青海HDMI接口ESD保护元件选型，规范了ESD模拟器对水平耦合板和垂直耦合板的放电方式，但没有关于ESD辐射场的明确规定，对ESD模拟器也*规定了放电电流的典型波形和4个关键点参数。通常被测设备(equip—mentundertest，EUT)是易受电磁场影响的。许多学者在实际测试时发现，由于ESD模拟器内部继电器与接地回路等因素的影响，符合IEC61000-4-2标准要求的不同END模拟器所得测试结果并不相同。ESD防护主要采用“过压防护”的原理，通过隔离电路、钳位电路、衰减电路等方式降低ESD的冲击电压。青海HDMI接口ESD保护元件选型

常见人体带电过程如下：(1)人从椅子上站起来，或擦拭墙壁等过程(**初的电荷分离发生在衣物或其他相关物体外表面，然后，人体由感应带电。(2)人在高电阻率材料制成的地毯等绝缘地板上走动(**初的电荷分离发生在鞋和地板之间，然后，对于导电性鞋，人体由电荷传递而带电；对于绝缘鞋，人体是因感应而带电)。(3)脱下外衣时的静电。这是发生在外层衣物与内层衣物之间的接触起电，人体则经过电荷传递或感应而带电。(4)液体或粉体从人拿着的容器内倒出(该液体或粉体把一种极性的电荷带走，将等量异性的电荷留在人体上。(5)与带电材料接触。如对高度带电粉体取样时的带电。当存在连续起电过程时，由于电荷泄漏和放电，使得人体比较高电位被限制在约50kV以下。青海VGA接口ESD保护元件封装ESD静电保护元件的浪涌防护等级可用IPP这个参数来表示。

对于ESD，我们应该如何进行一个选型呢？ESD主要分为四类：TVS二极管、压敏电阻、MLCC、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太一样，我们**常用的esd器件就是tvs二极管了。1）工作电压选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。2）信号类型单向ESD器件和双向ESD器件的选择，双向ESD器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号，而单向ESD器件只可以通过正击穿电压（VBR）的信号，如果通过负的就会造成ESD器件击穿。3）寄生电容ESD器件是有寄生电容的，如图是寄生电容对高速电路接口的影响，寄生电容会影响电平的上升和下降速度，影响输出后的信号。4）根据电路系统的比较大承受电压冲击，选择适合的钳位电压；5）确保ESD器件可达到或超过IEC61000-4-2level4。

静电放电机器模型MM因在日本得到广泛应用，也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻（<10Ω）代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型**如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻放电的波形,峰值电流可达几百安培，持续时间（决定于放电通路的电感）为几百纳秒。机器放电模型是电子元器件的(HBM/MM/CDM)三个重要放电模型之一，其主要的测试设备为EST883A静电放电模拟器，它是EST883A静电放电模拟器(电子元器件如二极管、三极管和集成电路等人体模型**)的基础上增加了机器模型(MM)。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。

在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。图2为Diode的一种典型应用情况，在VDD相对于VSS发生PositiveESDPulse时，Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流，从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流，在大电流下器件的功耗很大，因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低，器件的微分电阻也较大；而在VDD相对于VSS发生NegativeESDPulse时，该Diode为正偏并释放ESD电流，由于二极管的正向导通电压很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常强。由于Diode在正偏和反偏两种状态下的ESD能力差别非常大，因此目前在使用二极管作ESD保护器件时往往会采用非常大的器件面积提升二极管反偏状态下的ESD能力，如此一来，缺点是非常明显的，它增大了ESD器件的面积占用，更为严重的是，对于高频引脚而言，此方式会带来较大的寄生电容，使引脚的频率特性变差。多层压敏电阻作为ESD静电保护元件，具有较高的成本优势。青海VGA接口ESD保护元件封装

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。青海HDMI接口ESD保护元件选型

ESD保护,在将电缆移去或连接到网络分析仪上时，防止静电放电（ESD）是十分重要的。静电可以在您的身体上形成且在放电时很容易损坏灵敏的内部电路元件。一次太小以致不能感觉出的静电放电可能造成长久性损坏。为了防止损坏仪器，应采取以下措施：1、保证环境湿度。2、铺设防静电地板或地毯。3、使用离子风枪、离子头、离子棒等设施，使在一定范围内防止静电产生。4、半导体器件应盛放在防静电塑料盛器或防静电塑料袋中,这种防静电盛器有良好导电性能,能有效防止静电的产生。当然,有条件的应盛放在金属盛器内或用金属箔包装。5、操作人员应在手腕上带防静电手带,这种手带应有良好的接地性能,这种措施**为有效。青海HDMI接口ESD保护元件选型

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