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LM3151MHE-3.3/NOPB稳压IC 深圳市特克电子供应

信息介绍 / Information introduction

取消绕组-TI稳压IC技术专题

与非隔离变流器不同,隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模(CM)EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容,CM电流也从初级流向次级,导致测量的CM EMI增加,LM3151MHE-3.3/NOPB稳压IC。按照惯例,您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰,LM3151MHE-3.3/NOPB稳压IC。

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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法-稳压IC技术专题
当系统共享公共物理触点时,开关电源中不连续电流产生的输入电压纹波可传导至其他系统。如果没有适当的缓解措施,过大的输入或输出电压纹波可能会危及电源、负载或相邻系统的运行。
传统上,您可以通过使用基于无源电感电容器(LC)的EMI滤波器来**小化输入纹波,如图4所示。LC滤波器提供满足EMI规范所需的衰减。
取舍是根据所需衰减对系统的尺寸和成本进行惩罚,这将降低总体功率密度。而且用于输入EMI滤波器设计的大型电感器由于其较低的自谐振频率而在大于30 MHz的频率下失去衰减,因此需要铁氧体磁珠等附加组件来处理高频衰减。

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低噪音和精度-TI稳压IC发展趋势
增强电源和信号完整性,以提高系统级保护和准确性。
为了比较大限度地提高系统性能和可靠性,监控、调节和处理电源链中信号的能力至关重要。高精度系统需要精确的低噪声基准,以及低噪声和纹波的供电轨。TI使用**工艺组件和先进的电路和测试技术,以提高精度并将失真降至比较低。
减少和缓解IC错误源
•利用TI高度优化的低噪声互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,减少工艺的非理想性。
•利用先进的电路和测试技术减少工艺非理想性的影响。

图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题
在CISPR 25等标准中,通常会将fm设置在9 kHz左右,以优化低频段,但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题,您可以进一步以伪随机方式调制三角调制,以传播可听能量,而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式,这是TPS55165-Q1(同步降压-升压转换器)上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带(因此也限于单个RBW),而是多个频带的事实带来了困境,因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频(DRSS)的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面,每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息,请参阅应用报告“EMI抑制技术,双随机扩频”
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稳压IC-带导线的SIMPLESWITCHER®模块易于使用的模块,适用于需要高达42V输入电压的应用。

•单个外露底部•

支持5-V、12-V和24-V导轨

•输出电流高达10A

•输出电流高达10A

稳压IC-微型IP™模块解决方案总占地面积**小。

•带集成盖和电感器:如TPS826x系列(6MHz)和TPS82740

•*带集成电感器:如TPS82084/85(6-V输入)和TPS82130/40/50(17-V输入)

•**功耗,如TPS82740,只有360nAIQ(运行)

•LMZM23601比较高36-V输入

TI的电源模块包括实现DC/DC电源解决方案,可简化设计、减少解决方案大小并缩短开发时间。产品的电压高达60V,电流高达50A。

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依托稳压IC的支持,TI的电池管理产品、工具和专业知识使工程师更容易设计更高效、更持久和更可靠的电池供电应用。TI为汽车、工业和个人电子应用领域的新电池化学和技术带来了前列解决方案。创新包括更快、更酷的电池充电器、具有先进精度和集成度的汽车监控和保护IC准确可靠的仪表。

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