真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET，TL594CNG4稳压IC。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，TL594CNG4稳压IC，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减，TL594CNG4稳压IC。
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低噪音和精度-TI稳压IC发展趋势-2
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和准确性。
为了比较大限度地提高系统性能和可靠性，监控、调节和处理电源链中信号的能力至关重要。高精度系统需要精确的低噪声基准，以及低噪声和纹波的供电轨。TI使用**工艺组件和先进的电路和测试技术，以提高精度并将失真降至比较低。
•高级功能，如陶瓷封装和电路板应力管理技术
管理硅和电路板压力。
系统噪音缓解
•技术进步，使系统级抗干扰性更好
具有高电源抑制比（PSRR）、低压差调节器（LDO）和片上滤波的干扰和噪声。
高PSRR可实现更好的滤波和更低的输出噪声。
EMI建模能力
对任何电路进行建模都是早期评估设计性能的重要方法，因此在缩短设计周期方面起着关键作用。
EMI建模是一个复杂的过程，涉及PCB的时域电路分析和频域电磁仿真。
通过减少设计迭代次数，对EMI发射进行建模可以更快速地满足EMI标准限制。
让我们回顾一下可用于建模EMI的一些选项。
使用WEBENCH®设计工具进行低频EMI设计
WEBENCH输入滤波器设计工具可帮助您自动设计适当的输入滤波器，以减轻符合CISPR 32和CISPR 25等标准的低频（<30 MHz）传导EMI噪声。该工具优化过滤器大小，同时确保设计符合特定标准。在设计滤波器时，保证了滤波器的稳定性和变换器回路的稳定性。此在线工具支持100多个TI power设备。
让输入EMI滤波器电感器保持无阻尼状态是一个常见的错误，这会对总体设计稳定性产生负面影响。WEBENCH设计工具对输入滤波器和开关电源进行阻抗分析（如下图23所示），并建议适当的阻尼组件以确保稳定性。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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稳压IC-电源发展趋势
功率密度功率更大，布板空间更小。
TI的高功率密度器件产品系列的设计亮点在于采用了SWIFT™降压稳压器系列，在紧凑的热增强型封装中提供高性能功能集和高输出电流功能。高密度开关稳压器是为FPGA和处理器等高电流数字负载供电的理想选择。使用我们的处理器连接工具，查找可优化FPGA或处理器的合适产品。低EMI降低开关稳压器的EMI可能是许多电源设计人员面临的一项主要挑战。采用内置EMI消减技术的器件不仅能缩短设计时间，还有助于符合CISPR255类等严苛标准。
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深圳市特克电子技术有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，深圳市特克电子供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！
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