材料常数（热敏指数）B值（K）B值被定义为：B=T1*T2/(T2-T1)ln(RT1/RT2)RT1：温度T1（K）时的零功率电阻值。RT2：温度T2（K）时的零功率电阻值，山西热敏电阻。T1、T2：两个被指定的温度（K）。对于常用的NTC热敏电阻，山西热敏电阻，B值范围一般在2000K～6000K之间，山西热敏电阻。零功率电阻温度系数（αT）在规定温度下，NTC热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。αT：温度T（K）时的零功率电阻温度系数。RT：温度T（K）时的零功率电阻值。T：温度（T）。B：材料常数。封装在NTC热敏电阻内部的陶瓷芯片是该类电子元器件的**。山西热敏电阻

NTC负温度系数热敏电阻构成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料．该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻．其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化．现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷，具有负的温度系数，电阻值可近似表示为：式中RT、RT0分别为温度T、T0时的电阻值，Bn为材料常数．陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化，这是由半导体特性决定的。山西热敏电阻功率型NTC热敏电阻的焦耳能量计算公式：E=1/2 CV2。

负温度系数(NegativeTemperatureCoefficient,NTC)热敏电阻因具有对温度变化敏感、响应时间短、价格便宜、测温范围宽和互换替代性好等诸多优点，已被***用于温度测量与控制、稳压、补偿、抑制浪涌电流以及流量流速测量等诸多领域，尤其是随着现代新兴产业的不断发展和新产品质量的不断改善，NTC热敏电阻的应用范围也越来越拓展，被大量应用在人们日常生活和工作中。封装在NTC热敏电阻内部的陶瓷芯片是该类电子元器件的**，该类NTC热敏陶瓷一般是由若干种3d过渡金属如Mn、Ni、Co、Fe、Cu和Zn的金属氧化物氧化物粉体为原料，采用半导体陶瓷制备工艺，在高温下烧结形成的以尖晶石结构为主晶相的一类无机功能材料。

非线性PTC效应经过相变的材料会呈现出电阻沿狭窄温度范围内急剧增加几个至十几个数量级的现象，即非线性PTC效应，相当多种类型的导电聚合体会呈现出这种效应，如高分子PTC热敏电阻。这些导电聚合体对于制造过电流保护装置来说非常有用。高分子PTC热敏电阻用于过流保护，高分子PTC热敏电阻又经常被人们称为自恢复保险丝（下面简称为热敏电阻），由于具有独特的正温度系数电阻特性，因而极为适合用作过流保护器件。热敏电阻的使用方法象普通保险丝一样，是串联在电路中使用。额定工作电流IM：热敏电阻器在工作状态下规定的名义电流值。

实验表明，在工作温度范围内，PTC热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：R(T)=R(T0)*exp(Bp(T-T0))式中R(T)、R(T0)表示温度为T、T0时电阻值，Bp为该种材料的材料常数。PTC效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生***变化。**近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，这是体型小且精度高的PTC热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加。PTC效应即正温度系数效应，*指此材料的电阻会随温度的升高而增加。安徽温度传感型热敏电阻原理

NTC温度传感器是一种热敏电阻、探头，其原理为：电阻值随着温度上升而迅速下降。山西热敏电阻

热敏电阻的阻值会随着温度的改变而改变，而这种改变是非线性的，Steinhart-Hart公式表明了这一点。在进行温度测量时，需要驱动一个通过热敏电阻的参考电流，以创建一个等效电压，该等效电压具有非线性的响应。您可以使用配备在微控制器上的参照表，尝试对热敏电阻的非线性响应进行补偿。即使您可以在微控制器固件上运行此类算法，但您还是需要一个高精度转换器用于在出现极端值温度时进行数据捕获。另一种方法是，您可以在数字化之前使用“硬件线性化”技术和一个较低精度的ADC。(Figure1)其中一种技术是将一个电阻RSER与热敏电阻RTHERM以及参考电压或电源进行串联（见图1）。将PGA（可编程增益放大器）设置为1V/V，但在这样的电路中，一个10位精度的ADC只能感应很有限的温度范围（大约±25°C）。山西热敏电阻

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