单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性，具有双向对称性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，陕西插件瞬态抑制二极管选型，陕西插件瞬态抑制二极管选型，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便，陕西插件瞬态抑制二极管选型。。TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。陕西插件瞬态抑制二极管选型

箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。陕西插件瞬态抑制二极管选型DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装：分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同轴引线封装：P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W，SA为500W、3KP为3000W，其余类推（型号名KP或KPA前面的数字表示kW数）。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值（VBR）；②其它系列中**反向断态电压值（VRWM）。A表示单向，CA表示双向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS管，只有单向，没有双向。TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃，T=10ms条件下，可达50～200A 。

这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文简称ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文简称浪涌管）。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——静电测试标准，必须通过，提供测试数据IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分厂家才会提供数据IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌测试标准，必须通过，提供测试数据下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信号线上的ESD管规格书提供的信息，人家一个小管子，完成了三个标准的测试。TVS若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS 阵列。陕西插件瞬态抑制二极管选型

做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小。陕西插件瞬态抑制二极管选型

过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁，失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明，发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致，例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致，例如:电快速瞬变，雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间，则短路可能发生在结边缘表面，也可能发生在体内。陕西插件瞬态抑制二极管选型

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