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UCC2805PWG4稳压IC 深圳市特克电子供应

信息介绍 / Information introduction

集成输入旁路电容器
如前所述,由于开关节点振铃的增加,大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低,从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器,如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外,输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI(相同板上的相同条件),包括集成和不集成旁路电容器。结果表明,在**严格的电视频段(200至230 MHz)内,发射降低了9 dB,UCC2805PWG4稳压IC,这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下,UCC2805PWG4稳压IC,UCC2805PWG4稳压IC,而无需在电路板上安装其他组件。
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EMI建模能力
对任何电路进行建模都是早期评估设计性能的重要方法,因此在缩短设计周期方面起着关键作用。
EMI建模是一个复杂的过程,涉及PCB的时域电路分析和频域电磁仿真。
通过减少设计迭代次数,对EMI发射进行建模可以更快速地满足EMI标准限制。
让我们回顾一下可用于建模EMI的一些选项。
使用WEBENCH®设计工具进行低频EMI设计
WEBENCH输入滤波器设计工具可帮助您自动设计适当的输入滤波器,以减轻符合CISPR 32和CISPR 25等标准的低频(<30 MHz)传导EMI噪声。该工具优化过滤器大小,同时确保设计符合特定标准。在设计滤波器时,保证了滤波器的稳定性和变换器回路的稳定性。此在线工具支持100多个TI power设备。
让输入EMI滤波器电感器保持无阻尼状态是一个常见的错误,这会对总体设计稳定性产生负面影响。WEBENCH设计工具对输入滤波器和开关电源进行阻抗分析(如下图23所示),并建议适当的阻尼组件以确保稳定性。
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电力趋势-稳压IC技术发展趋势

我们一直在努力突破功耗的极限:开发新的工艺、封装和电路设计技术,为您的应用提供比较好的设备。无论您需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性,还是在高压下保持安全,我们都致力于与您携手合作,帮助解决您的电源管理难题。德州仪器:您进一步推动电力发展的合作伙伴。
1、功率密度
提高功率密度,在较小的空间内实现更大的功率,以降低系统成本增强系统功能。
2、智商低
降低静态电流以延长电池和保质期,同时不影响系统性能。
3、低电磁干扰
将干扰降至比较低,以降低系统成本并快速满足EMI标准。
4、低噪音、高精度
增强电源和信号完整性,以提高系统级保护和准确性。
5、隔离
通过高压隔离栅传输信号和/或电源,以比较高的工作电压和可靠性提高安全性。

新的UCC3808x系列稳压IC基于UCC3808A体系结构。

主要区别包括向CS信号添加可编程斜率补偿斜坡和移除误差放大器。通过外部电阻器流出ISET引脚的电流在内部进行监控,以设置斜率补偿功能的大小。该装置还包括一个从CS引脚到接地的内部放电晶体管,该晶体管在脉冲终止后的每个时钟周期被***。这将在每个周期中释放CS引脚上的任何滤波器电容,并有助于**小化滤波器电容值和电流检测延迟。
UCC38083稳压IC和UCC38084设备稳压IC的典型软启动间隔时间为3.5 ms,而对于不需要内部软启动的应用,UCC38085和UCC38086的软启动间隔时间小于100µs。 电源稳压IC,就选特克集团,原厂现货!期待您的光临!

升压升压转换器-数据表规定了-稳压IC

集成功率MOSFET开关。可实现的实际输出电流的粗略估计是占空比的函数,可以使用以下公式进行估计:IOUT=0.65xISwitch(**小)x(VIN/VOUT)降压升压转换器-ADC/DC转换器必须能够在所有可能的输入电压条件下调节输出电压,无论VIN高于或低于VOUT。

TI的单电感buck-boost变换器在芯片上集成了四个功率MOSFET,以节省空间并在操作模式之间无缝过渡。

分轨变流器-TPS6513x分轨系列的每个成员

转换器(+VOUT1/–VOUT2)从一个输入轨产生调节的正负电源电压。这降低了BOM成本和空间,同时为工业和汽车应用提供了前列的性能。 特克电子专业经营德州仪器稳压IC,专业产品顾问为您服务!TPS53124PW稳压IC

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功率MOSFET概述:

TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术,与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻,需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形,这是以前现有硅平台无法实现的组合。

NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比,从轻负载到全负载的效率,**了离散设计的突破。
功率MOSFET,稳压IC主要包括:N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。 UCC2805PWG4稳压IC

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