有源EMI滤波-TI稳压IC技术专题
为了大幅改善低频频谱中的发射，LM25149-Q1降压控制器采用了有源EMI滤波方法。集成有源EMI滤波器通过充当有效的低阻抗分流器，减少输入端的DM传导发射。图12显示了buck控制器的有源EMI滤波器如何连接到输入线。传感和注入引脚通过各自的电容器连接到输入端。有源EMI滤波器块内的有源元件放大感测信号，并通过注入电容器注入适当的反极性信号，以**小化输入线上的整体干扰，UCC3805D稳压IC，UCC3805D稳压IC，UCC3805D稳压IC。这减少了
过滤所需无源元件的负担，从而减少其尺寸、体积和成本。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸，针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示，改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层（如黑色所示），用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口，并有助于产生抵消CM电压，使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流，使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应（流入二次层的CM电流接近于零）减少了CM发射，明显帮助设计满足EMI频谱标准，且CM滤波很好小。
真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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5.线性调节器（LDO）-稳压IC概述和选择指南-
稳压IC概述稳压IC低压差线性稳压器（LDO）是一种简单、有效的调节由较高输入电压供电的输出电压的方法。德州仪器（TI）拥有***的LDO产品组合，其特点是小尺寸封装、低静态电流（低IQ）以扩展电池寿命长，低噪声LDO具有高电源抑制比（PSRR），低固有噪声，高输出电流和快速瞬态响应速度快，高压LDO适用于恶劣的汽车环境。
稳压IC减少解决方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，当今电子设计的复杂性和密度相当于有限的PCB空间。为了应对电子设备越来越小的趋势，稳压IC-LDO必须提供相同的性能，同时消耗尽可能少的空间。TI提供了许多LDO，可满足高性能需求和微小的解决方案规模。
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TI稳压IC-减少高频发射的创新
到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通常会减少低频发射（<30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。
火棒™ 包裹
减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，进而减少开关节点振铃。
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