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TPS40040DRBT稳压IC 深圳市特克电子供应

信息介绍 / Information introduction

依托稳压IC的支持,TI的电池管理产品、工具和专业知识使工程师更容易设计更高效、更持久和更可靠的电池供电应用,TPS40040DRBT稳压IC。TI为汽车、工业和个人电子应用领域的新电池化学和技术带来了前列解决方案,TPS40040DRBT稳压IC。创新包括更快、更酷的电池充电器、具有先进精度和集成度的汽车监控和保护IC准确可靠的仪表。

电池管理基础知识除了电池管理**、易于使用的工具和培训外,TI还提供评估板、参考设计和教育视频,以简化开发周期,让您更快地将产品推向市场。有关更多信息,请访问TECH-TREK官网/电池 电源稳压IC,就选特克集团,TPS40040DRBT稳压IC,专业专注!专业顾问为您服务!TPS40040DRBT稳压IC

高压电源-稳压IC:

交流/直流和隔离直流/直流MOSFET和IGBT栅极驱动器TI的100多个门驱动器产品组合提供了业界**快的开关电源,同时满足了各种规格。优点包括在高开关频率下具有快速开启/关闭时间的稳健设计,可减少功率损耗并实现更好的系统性能。TI的门驱动器系列包括低压侧驱动器、半桥驱动器和隔离驱动器。

UCC2751x和UCC2752x

•选定产品的版本

•AEC-Q100适用于部分产品

•非对称驱动和分离输出选项可在选定的单通道驱动器上使用

•前列的传播延迟和与MOSFET功率开关更高的VDD兼容性

•两个系列都具有TTL和CMOS输入阈值

UCC27531,UCC27531-Q1

•可采用D和DBV包装

•FET和IGBT单栅驱动器

•2.5A和5A,35V比较大VDD TL5001AQDR稳压IC电源稳压IC,就选特克集团,原厂现货!欢迎新老客户来旬!

取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸,针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示,改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层(如黑色所示),用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口,并有助于产生抵消CM电压,使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流,使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应(流入二次层的CM电流接近于零)减少了CM发射,明显帮助设计满足EMI频谱标准,且CM滤波很好小。

稳压IC-开放式机架PTH08T2xx“T2”电源模块高电流模块,

用于需要高达50A的应用。

•高达50A的高输出电流

•涡轮变速器™可调瞬态响应特性

•均流(50-A版本)

稳压IC-QFN电源模块易于使用的高功率密度模块,

适用于占地面积小的应用。

•输入电压范围:2.95至60V

•输出电流高达30A

•功能丰富灵活

•只需要三个外部组件

稳压IC-带导线的SIMPLESWITCHER®模块易于使用的模块,

适用于需要高达42V输入电压的应用。

•单个外露底部

•支持5-V、12-V和24-V导轨


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取消绕组-TI稳压IC技术专题

与非隔离变流器不同,隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模(CM)EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容,CM电流也从初级流向次级,导致测量的CM EMI增加。按照惯例,您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。

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真回转率控制
尽管有上述技术,在一些设计中,高频EMI(60至250 MHz)可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准,减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率,从而降低EMI,但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示,通过RBOOT引脚(teal虚线环)的电流被倍增,并从CBOOT(红色虚线)穿过,以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做,电阻器可以控制转换速率,但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时,上升时间很快;开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接,则在将13.5 V转换为5 V时,回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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