PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压，因此，PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界，贵州8000W瞬态抑制二极管，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，贵州8000W瞬态抑制二极管，贵州8000W瞬态抑制二极管，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。DO-201封装的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。贵州8000W瞬态抑制二极管

车规级TVS与工业级TVS的区别如下：1.级别不同：元器件一般分为**，工业级，民用级这三个级别，市面流通基本都是工业级民用级，车规级很少用于区分级别的，大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同：一般而言，工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃，车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同：车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力（包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等），车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上，而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产、管控以及测试环节。贵州8000W瞬态抑制二极管TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装：分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同轴引线封装：P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W，SA为500W、3KP为3000W，其余类推（型号名KP或KPA前面的数字表示kW数）。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值（VBR）；②其它系列中**反向断态电压值（VRWM）。A表示单向，CA表示双向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS管，只有单向，没有双向。

瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。

常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征结合器件结构，材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等，采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因，分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷，表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等，使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。贵州8000W瞬态抑制二极管

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA。贵州8000W瞬态抑制二极管

要减少TVS短路失效，首先应加强TVS制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了TVS的可靠性。其次，做到TVS的正确选型与安装，比较好对TVS进行降额使用，这样可使TVS承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低，通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。贵州8000W瞬态抑制二极管

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