贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数，上海压敏电阻MOV电路图、层间的调整，可以控制击穿电压，上海压敏电阻MOV电路图、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，上海压敏电阻MOV电路图，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。常用的压敏电阻型号有561KD10或10D561K。上海压敏电阻MOV电路图

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。插件压敏电阻MOV伏安特性压敏电阻插件封装具有多种引线形式：有直脚、弯脚和F脚等其他特殊引线类型。

“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。

压敏电阻的选用及注意事项：一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况**坏时，也不应高于额定值中选择的比较大连续工作电压，该比较大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中[2]：a为电路电压波动系数；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差；c为元件的老化系数，；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的[2]，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1．414倍[3]。另外，选用时还必须注意：(1)必须保证在电压波动比较大时，连续工作电压也不会超过比较大允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命；(2)在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的比较大通流量。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。

压敏电阻材质：**常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻（MOV, Metal Oxide Varistor），它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块，夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应，由于有大量杂乱颗粒，使得它等同于一大堆背向相连的二极管，低电压时只有很小的逆向漏电电流，当遇到高电压时，二极管因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃，流通大电流。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。由于主要成份或品牌的不同，金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR (Composite Nonlinear Resistor[2])，TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是 Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。14d（14mm）压敏电阻的通流量一般为2.5kA，高焦耳产品通流量一般为3.5kA。上海压敏电阻MOV电路图

高能型：指用于吸收发电机励磁线圈，起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器。上海压敏电阻MOV电路图

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。上海压敏电阻MOV电路图

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