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上海大功率TVS定制 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用TVS阵列更为有利。7,上海大功率TVS定制、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作,上海大功率TVS定制,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降,从+25℃到+175℃,上海大功率TVS定制,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。超大功率TVS通流量可做到几十千安,用可用于防雷模块。上海大功率TVS定制

TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同;反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。而后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极的电压也不断下降,***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。上海大功率TVS定制TVS的性能优于压敏电阻MOV。

将TVS二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL器件,遇到超过30ms的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。

平时在做浪涌测试时,总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压,如差模2KV,共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时,也就经常考虑这个问题,TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。在TVS选型时,有很多参数需要考虑,如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。这里不讨论其他参数,只关注如何计算出所能承受的浪涌电压。下图中提到了的两个参数:比较大钳位电压和脉冲峰值电流,其承受的比较大浪涌功率为比较大钳位电压*脉冲峰值电流=24.4V*24.6A=600.24W。这也是我们常说的SMB系列TVS能承受600W功率。如果没有特殊说明,这个功率是在10/1000us浪涌测试波形下测量的。POE接口电源线一般采用SMCJ58CA、SMDJ58CA或5.0SMDJ58CA进行保护。

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。来明电子可为客户国产替代TVS产品。上海大功率TVS定制

相同功率的TVS,工作电压越高,通流量越低。上海大功率TVS定制

TVS的封装类型有:2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封装:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封装:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封装:P4KE系列(400W);7)DO-15封装:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;8)DO-201封装:1.5KE系列(5000W)、LCE系列;上海大功率TVS定制

上海来明电子有限公司是以提供TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容为主的有限责任公司(自然),公司成立于2010-08-11,旗下晶导微电子,意昇,美硕,成镐,已经具有一定的业内水平。公司承担并建设完成电子元器件多项重点项目,取得了明显的社会和经济效益。多年来,已经为我国电子元器件行业生产、经济等的发展做出了重要贡献。

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