肖特基二极管:肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode,SBD），具有正向压降低（）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。其耐压能常较低，但是它的恢复速度快，多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT的开关电路里面通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，浙江常见美高森美快恢复二极管报价，74ALS，74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。快恢复二极管:快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），浙江常见美高森美快恢复二极管报价，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，浙江常见美高森美快恢复二极管报价，后者则在100纳秒以下。这两种管子通常用于开关电源。快恢复二极管一般地说用于较高频率的整流和续流。浙江常见美高森美快恢复二极管报价

    它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分信号。大多数二极管都可作为限幅使用，但有些时候需要用到限幅二极管，如保护仪表时。[6]（3）稳压电路在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用特殊工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种特殊二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，容易形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。[6]（4）变容电路在变容电路中常用变容二极管来实现电路的自动频率控制、调谐、调频以及扫描振荡等。[6]二极管工业产品应用经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，发光二极管应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。发光二极管的很多特性是普通发光器件所无法比拟的，主要具有特点有：安全、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固。因此，发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源。[6]发光二极管在很多领域得到普遍应用，下面介绍几点其主要应用：（1）电子用品中的应用发光二极管在电子用品中一般用作屏背光源或作显示、照明应用。浙江常见美高森美快恢复二极管报价快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管。

    利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。（2）常规检测方法在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为Ω，n′=；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=×。证明管子是好的。注意事项：（1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。（2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。（3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于Ω，此时n′=9格。由此计算出的VF值，远低于正常值()。

    使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2．检测方法1）测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。2）常规检测方法在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低()、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V，通态压降，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode）。浙江常见美高森美快恢复二极管报价

20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装。浙江常见美高森美快恢复二极管报价

    载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。浙江常见美高森美快恢复二极管报价

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