所述二极管结构包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层，所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述一传导区域和所述第二传导区域。在一些实施例中，所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。在另一方面，提供了一种二极管。该二极管包括：衬底，具有一沟槽；阴极和阳极，耦合到所述衬底；一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离一距离，所述一距离短于10nm；以及第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述一传导区域更深地延伸。在一些实施例中，所述衬底包括第二沟槽，所述二极管进一步包括：至少一个晶体管，具有在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域，所述一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。在一些实施例中，所述二极管包括：传导层，覆盖所述衬底以及所述一沟槽和所述第二沟槽；以及接触区域，形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。在一些实施例中，所述一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域，所述沟道区域和所述一传导区域掺杂有相反的导电类型。在一些实施例中，所述二极管包括漏极区域，所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸在一些实施例中。

    其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变，即VT1基极电流不能随温度变化而改变，否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性，对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。2）三极管VT1有一个与温度相关的不良特性，即温度升高时，三极管VT1基极电流会增大，温度愈高基极电流愈大，反之则小，显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知，放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。2．三极管偏置电路分析电路中，三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压，这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路，为三极管VT1基极提供直流工作电压，基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响，而且直流工作电压+V的大小不变，那么VT1基极直流电压是稳定的，则三极管VT1的基极直流电流是不变的，三极管可以稳定工作。在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点：VT1是NPN型三极管，其基极直流电压高，则基极电流大；反之则小。3．二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连。

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