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实际产品中，**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us，如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢，这就需要看Spec中的另一个曲线图：通过上图可以查出，1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us，对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下，反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口，在共模时，浪涌发生器内阻为12欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口，在差模时，浪涌发生器内阻为2欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口，无论差模共模，浪涌发生器内阻为42欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出，一个TVS所能承受的比较大浪涌电压，不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等)，也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。辽宁600W瞬态抑制二极管原理双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。

来明电子成立于2010年，是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构，专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验，整合了质量的供应链资源，产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商，制定供应商评估体系，在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核，持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证，拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线，保证产品高标准、高质量、批量化生产。DO-15封装的TVS一般有SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列。

高效灵活的仓储物流管理，长期降低供应成本，解决物料短缺，专人负责订单周期管理、供应商跟进，保证高效及时交货。我们在供应链管理、客户服务、订单周期管理、电子元器件解决方案积累了丰富的经验，旨在构建未来互联网+服务方案体系，让商家、客户、经营者能够聚焦，从而产生多赢价值。我们秉持务实、高效的服务理念，接纳、圆满、给予的品牌风格，精益求精成就伙伴的企业使命竭诚为客户创造价值。让我们期待与您携手合作共创辉煌。TVS 器件可以按极性分为单极性和双极性两种。辽宁600W瞬态抑制二极管原理

台面缺陷损伤的TVS 器件经过温度循环和冲击等筛选试验后，电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常。辽宁600W瞬态抑制二极管原理

PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压，因此，PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。辽宁600W瞬态抑制二极管原理

上海来明电子有限公司属于电子元器件的高新企业，技术力量雄厚。来明电子是一家有限责任公司（自然）企业，一直“以人为本，服务于社会”的经营理念;“诚守信誉，持续发展”的质量方针。公司始终坚持客户需求优先的原则，致力于提供高质量的TVS、ESD、MOV，放电管、保险丝、继电器，二三极管MOS管、晶振，NTC，PPTC，电容。来明电子自成立以来，一直坚持走正规化、专业化路线，得到了广大客户及社会各界的普遍认可与大力支持。

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