TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。单向TVS用于直流电源信号防护,正向导通也可以起到泄放浪涌电流的作用。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容,重庆1500W瞬态抑制二极管原理,重庆1500W瞬态抑制二极管原理,或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量,重庆1500W瞬态抑制二极管原理。P4KE、P6KE、1.5KE系列中的数字**击穿电压标称值(VBR)。重庆1500W瞬态抑制二极管原理
上海来明电子有限公司成立于2010年,是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构,专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案,包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等,致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道,为客户提供***增值服务,持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系,可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来,我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值,以不断创新和服务价值输出,成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。广西SMA瞬态抑制二极管测试多线保护选用TVS 阵列更为有利。
TVS管在稳压管工艺基础上发展起来的新产品,是一种新型的高效电路保护器件之一,具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力;而稳压二极管,利用pn结反向击穿状态,在电流变化范围内,保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。共同点:在一定范围内,能限制两端的电压;长时间运作耐流值几乎一样,均跟体积功耗相关联。工作原理不同:tvs管:雪崩效应,在高能量的瞬时过压脉冲时,阻抗能立马降低到很低的导通值,允许较大电流通过,并将电压箝制到预定水平,避免电路中的精密元器件免受损坏。稳压管:齐纳隧道效应,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定。
常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征结合器件结构,材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因,分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷,表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。DO-201封装的TVS有1.5KE系列(5000W)、LCE系列。
实际产品中,**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看Spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出,一个TVS所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点。重庆1500W瞬态抑制二极管原理
常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。重庆1500W瞬态抑制二极管原理
反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。重庆1500W瞬态抑制二极管原理
上海来明电子有限公司是以提供TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容内的多项综合服务,为消费者多方位提供TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容,公司成立于2010-08-11,旗下晶导微电子,意昇,美硕,成镐,已经具有一定的业内水平。来明电子致力于构建电子元器件自主创新的竞争力,多年来,已经为我国电子元器件行业生产、经济等的发展做出了重要贡献。
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