100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅开关二极管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅开关二极管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅开关二极管70V,100mA,300mW,,2CK109硅开关二极管35V,100mA,300mW,,2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅开关二极管55V,100mA,300mW,,2CK150硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅开关二极管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅开关二极管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅开关二极管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二极管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二极管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二极管V,,2CN5D硅二极管V,,f=100KHz,2CN6硅二极管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二极管Ir≤≤,≤。

    则指给定反向漏电流条件下的电压值。（5）高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间。（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。整流二极管损坏原因编辑（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作。

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