MOSFET）功率器件领域的优先，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，止步！高压mos管产品深圳KIA可易亚电子，专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列产品，可以提供样品，以及有多种封装SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高压mos管产品特点（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数（5）场效应管的抗辐射能力强（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声。

    MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，严重的也是容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDDGND短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化，那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。MOS管的定义MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的MOS管体二极管，又称寄生二极管。

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